المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > ME6209A33M3G ME6208A30M3G ME6203A33M3G ME6118A33PG SOT23-3 جهاز تنظيم الضغط IC Chip

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

ME6209A33M3G ME6208A30M3G ME6203A33M3G ME6118A33PG SOT23-3 جهاز تنظيم الضغط IC Chip

Name: ME6209A33M3G ME6208A30M3G ME6203A33M3G ME6118A33PG SOT23-3 جهاز تنظيم الضغط IC Chip
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: ME6209A33M3G
Price: 0.99 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: original

رقم الموديل: ME6209A33M3G

شروط الدفع والشحن

الأسعار: $0.99/pieces 1-999 pieces

تفاصيل التغليف: ME6209A33M3G ME6208A30M3G ME6203A33M3G ME6118A33PG SOT23-3 pressure regulator ic chip ME62

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

اسم:

ME6209A33M3G

مستوى الجودة:

أصلي

النوع:

الدوائر المتكاملة، LOGIC ICS

الوصف:

رقاقة IC لمنظم الضغط

الجهد - الانهيار:

الخامس

التردد - التبديل:

هرتز

القوة (واط):

دبليو

درجة حرارة العمل:

c

نوع التثبيت:

سمت/ثت

الجهد - العرض (دقيقة):

الخامس

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

الخامس

الجهد - الإخراج:

الخامس

التيار - الإخراج / القناة:

أ

التكرار:

هرتز

التطبيقات:

شريحة IC للخادم التسلسلي

نوع FET:

معيار

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

المعيار

التيار - العرض:

المعيار

الجهد - الإمدادات:

معيار

التردد - أقصى:

معيار

أقصى القوة:

معيار

التسامح:

معيار

الوظيفة:

المعيار

توريد الجهد - داخلي:

معيار

التردد - القطع أو المركز:

معيار

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

معيار

قوة معزولة:

معيار

الجهد - العزلة:

المعيار

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

معيار

الحالي - ذروة الانتاج:

معيار

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

المعيار

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

معيار

مدخل نوع:

معيار

نوع الإخراج:

معيار

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

معيار

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

المعيار

الجهد - الخروج (ماكس):

معيار

الجهد - خارج الدولة:

المعيار

ثابت dV / dt (دقيقة):

معيار

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

معيار

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

معيار

عائق:

معيار

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

معيار

تردد LO:

معيار

تردد RF:

معيار

نطاق الإدخال:

المعيار

الطاقة الخارجة:

المعيار

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

معيار

المواصفات:

المعيار

الحجم / البعد:

اتصل بخدمة العملاء

تعديل أو بروتوكول:

معيار

واجهة:

معيار

مخرج قوي:

معيار

حجم الذاكرة:

معيار

بروتوكول:

المعيار

تعديل:

معيار

واجهات تسلسلية:

معيار

GPIO:

معيار

استخدام IC / الجزء:

معيار

المعايير:

المعيار

الأسلوب:

معيار

نوع الذاكرة:

معيار

ذاكرة قابلة للكتابة:

المعيار

المقاومة (أوم):

معيار

إشارة الصليب:

معيار

الميناء:

شنتشن

اسم:

ME6209A33M3G

مستوى الجودة:

أصلي

النوع:

الدوائر المتكاملة، LOGIC ICS

الوصف:

رقاقة IC لمنظم الضغط

الجهد - الانهيار:

الخامس

التردد - التبديل:

هرتز

القوة (واط):

دبليو

درجة حرارة العمل:

c

نوع التثبيت:

سمت/ثت

الجهد - العرض (دقيقة):

الخامس

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

الخامس

الجهد - الإخراج:

الخامس

التيار - الإخراج / القناة:

أ

التكرار:

هرتز

التطبيقات:

شريحة IC للخادم التسلسلي

نوع FET:

معيار

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

المعيار

التيار - العرض:

المعيار

الجهد - الإمدادات:

معيار

التردد - أقصى:

معيار

أقصى القوة:

معيار

التسامح:

معيار

الوظيفة:

المعيار

توريد الجهد - داخلي:

معيار

التردد - القطع أو المركز:

معيار

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

معيار

قوة معزولة:

معيار

الجهد - العزلة:

المعيار

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

معيار

الحالي - ذروة الانتاج:

معيار

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

المعيار

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

معيار

مدخل نوع:

معيار

نوع الإخراج:

معيار

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

معيار

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

المعيار

الجهد - الخروج (ماكس):

معيار

الجهد - خارج الدولة:

المعيار

ثابت dV / dt (دقيقة):

معيار

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

معيار

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

معيار

عائق:

معيار

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

معيار

تردد LO:

معيار

تردد RF:

معيار

نطاق الإدخال:

المعيار

الطاقة الخارجة:

المعيار

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

معيار

المواصفات:

المعيار

الحجم / البعد:

اتصل بخدمة العملاء

تعديل أو بروتوكول:

معيار

واجهة:

معيار

مخرج قوي:

معيار

حجم الذاكرة:

معيار

بروتوكول:

المعيار

تعديل:

معيار

واجهات تسلسلية:

معيار

GPIO:

معيار

استخدام IC / الجزء:

معيار

المعايير:

المعيار

الأسلوب:

معيار

نوع الذاكرة:

معيار

ذاكرة قابلة للكتابة:

المعيار

المقاومة (أوم):

معيار

إشارة الصليب:

معيار

الميناء:

شنتشن

ME6209A33M3G ME6208A30M3G ME6203A33M3G ME6118A33PG SOT23-3 جهاز تنظيم الضغط IC Chip

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة
مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
DC22+
MOQ: 1pc
الحزمة: القياسية
مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا

دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
وحدات مقارنة
مكشف - مكشف
أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد
مكبر
إعادة تعيين جهاز الكشف IC
مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء
شريحة الواجهة
شريحة بلوتوث
(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن
رقائق الاتصال بالساعة
IC الإرسال
IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة
شريحة التخزين 2
شريحة الايثرنت
الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

منتجات مماثلة

IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

احصل على أفضل سعر

IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

احصل على أفضل سعر

K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

احصل على أفضل سعر

IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

احصل على أفضل سعر

MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

احصل على أفضل سعر

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

احصل على أفضل سعر

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر

الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

احصل على أفضل سعر

اسم:	ME6209A33M3G	مستوى الجودة:	أصلي
النوع:	الدوائر المتكاملة، LOGIC ICS	الوصف:	رقاقة IC لمنظم الضغط
الجهد - الانهيار:	الخامس	التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو	درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	سمت/ثت	الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس	الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ	التكرار:	هرتز
التطبيقات:	شريحة IC للخادم التسلسلي	نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	المعيار	التيار - العرض:	المعيار
الجهد - الإمدادات:	معيار	التردد - أقصى:	معيار
أقصى القوة:	معيار	التسامح:	معيار
الوظيفة:	المعيار	توريد الجهد - داخلي:	معيار
التردد - القطع أو المركز:	معيار	التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار
قوة معزولة:	معيار	الجهد - العزلة:	المعيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	معيار	الحالي - ذروة الانتاج:	معيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	المعيار	الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	معيار
مدخل نوع:	معيار	نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار	نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	المعيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار	الجهد - خارج الدولة:	المعيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار	الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار	عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار	تردد LO:	معيار
تردد RF:	معيار	نطاق الإدخال:	المعيار
الطاقة الخارجة:	المعيار	نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار
المواصفات:	المعيار	الحجم / البعد:	اتصل بخدمة العملاء
تعديل أو بروتوكول:	معيار	واجهة:	معيار
مخرج قوي:	معيار	حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	المعيار	تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار	GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	معيار	المعايير:	المعيار
الأسلوب:	معيار	نوع الذاكرة:	معيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار	المقاومة (أوم):	معيار
إشارة الصليب:	معيار	الميناء:	شنتشن

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

ME6209A33M3G ME6208A30M3G ME6203A33M3G ME6118A33PG SOT23-3 جهاز تنظيم الضغط IC Chip

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات