المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > المكونات الإلكترونية بوم NUC130RE3CN R5F100LEAFA#V0 QFP64

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

المكونات الإلكترونية بوم NUC130RE3CN R5F100LEAFA#V0 QFP64

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: الولايات المتحدة;غوا

اسم العلامة التجارية: original

شروط الدفع والشحن

الأسعار: $0.99/pieces 1-999 pieces

تفاصيل التغليف: electronic components bom NUC130RE3CN R5F100LEAFA#V0 QFP64 cheap microcontroller ic mcu مك

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم جزء الشركة المصنعة:

NUC130RE3CN

النوع:

الدوائر المتكاملة، LOGIC ICS

الوصف:

متحكم IC

الجهد - الانهيار:

الخامس

التردد - التبديل:

هرتز

القوة (واط):

دبليو

درجة حرارة العمل:

c

نوع التثبيت:

معيار

الجهد - العرض (دقيقة):

الخامس

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

الخامس

الجهد - الإخراج:

الخامس

التيار - الإخراج / القناة:

أ

التكرار:

هرتز

التطبيقات:

دارة متكاملة

نوع FET:

-

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

أ

التيار - العرض:

أ

الجهد - الإمدادات:

الخامس

التردد - أقصى:

هرتز

أقصى القوة:

دبليو

التسامح:

-

الوظيفة:

-

توريد الجهد - داخلي:

-

التردد - القطع أو المركز:

-

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

-

قوة معزولة:

-

الجهد - العزلة:

-

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

-

الحالي - ذروة الانتاج:

-

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

-

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

-

مدخل نوع:

-

نوع الإخراج:

-

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

-

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

-

الجهد - الخروج (ماكس):

-

الجهد - خارج الدولة:

-

ثابت dV / dt (دقيقة):

-

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

-

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

-

عائق:

-

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

-

تردد LO:

-

تردد RF:

-

نطاق الإدخال:

-

الطاقة الخارجة:

-

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

-

المواصفات:

-

الحجم / البعد:

-

تعديل أو بروتوكول:

-

واجهة:

-

مخرج قوي:

20.5 ديسيبل و20.5 ديسيبل

حجم الذاكرة:

448 كيلو بايت روم، 536 كيلو بايت سرام

بروتوكول:

802.11b/g/n

تعديل:

CCK ، DSSS ، OFDM

واجهات تسلسلية:

GPIO، IC، IS، PWM، SDIO، SPI، UART

GPIO:

-

استخدام IC / الجزء:

ESP32-D0WD، ESP32-D0WD

المعايير:

-

الأسلوب:

-

نوع الذاكرة:

-

ذاكرة قابلة للكتابة:

-

المقاومة (أوم):

-

إشارة الصليب:

-

الجزء لا.:

NUC130RE3CN

مستوى الجودة:

أصلي

الميناء:

شنتشين

رقم جزء الشركة المصنعة:

NUC130RE3CN

النوع:

الدوائر المتكاملة، LOGIC ICS

الوصف:

متحكم IC

الجهد - الانهيار:

الخامس

التردد - التبديل:

هرتز

القوة (واط):

دبليو

درجة حرارة العمل:

c

نوع التثبيت:

معيار

الجهد - العرض (دقيقة):

الخامس

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

الخامس

الجهد - الإخراج:

الخامس

التيار - الإخراج / القناة:

أ

التكرار:

هرتز

التطبيقات:

دارة متكاملة

نوع FET:

-

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

أ

التيار - العرض:

أ

الجهد - الإمدادات:

الخامس

التردد - أقصى:

هرتز

أقصى القوة:

دبليو

التسامح:

-

الوظيفة:

-

توريد الجهد - داخلي:

-

التردد - القطع أو المركز:

-

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

-

قوة معزولة:

-

الجهد - العزلة:

-

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

-

الحالي - ذروة الانتاج:

-

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

-

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

-

مدخل نوع:

-

نوع الإخراج:

-

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

-

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

-

الجهد - الخروج (ماكس):

-

الجهد - خارج الدولة:

-

ثابت dV / dt (دقيقة):

-

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

-

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

-

عائق:

-

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

-

تردد LO:

-

تردد RF:

-

نطاق الإدخال:

-

الطاقة الخارجة:

-

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

-

المواصفات:

-

الحجم / البعد:

-

تعديل أو بروتوكول:

-

واجهة:

-

مخرج قوي:

20.5 ديسيبل و20.5 ديسيبل

حجم الذاكرة:

448 كيلو بايت روم، 536 كيلو بايت سرام

بروتوكول:

802.11b/g/n

تعديل:

CCK ، DSSS ، OFDM

واجهات تسلسلية:

GPIO، IC، IS، PWM، SDIO، SPI، UART

GPIO:

-

استخدام IC / الجزء:

ESP32-D0WD، ESP32-D0WD

المعايير:

-

الأسلوب:

-

نوع الذاكرة:

-

ذاكرة قابلة للكتابة:

-

المقاومة (أوم):

-

إشارة الصليب:

-

الجزء لا.:

NUC130RE3CN

مستوى الجودة:

أصلي

الميناء:

شنتشين

المكونات الإلكترونية بوم NUC130RE3CN R5F100LEAFA#V0 QFP64

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة
مرحباً بكم في شركتنا! نحن مصدرك الشامل للمكونات الإلكترونية (BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتك المتنوعة. نقدم: - أشباه الموصلات: المتحكمات الدقيقة، الترانزستورات، الثنائيات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحاثات، الموصلات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيح، المرحلات، مشغلات الاستشعار - إمدادات الطاقة: منظمات الجهد، محولات الطاقة، إدارة البطارية - الإلكترونيات الضوئية: مصابيح LED، الليزر، الثنائيات الضوئية، المستشعرات البصرية - مكونات الترددات اللاسلكية واللاسلكية: وحدات الترددات اللاسلكية، الهوائيات، الاتصالات اللاسلكية - المستشعرات: مستشعرات درجة الحرارة، مستشعرات الحركة، المستشعرات البيئية.

النوع: دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
تيار مستمر: 22+
الحد الأدنى للطلب: 1 قطعة
العبوة: قياسي
نطاق الرقائق الوظيفية واسع ويغطي العديد من مجالات التطبيقات المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور والتحكم في المستشعرات ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة والمزيد.

أنواع الرقائق المتوفرة لدينا

دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
دوائر IC للمقارنة
مشفر/فك التشفير
دوائر IC تعمل باللمس
دوائر IC المرجعية للجهد
مضخم
كاشف إعادة الضبط IC
مضخم طاقة IC
دوائر IC لمعالجة الأشعة تحت الحمراء
شريحة واجهة
شريحة بلوتوث
رقائق الرفع والخفض
رقائق قاعدة الوقت
رقائق اتصالات الساعة
جهاز الإرسال والاستقبال IC
دوائر RF اللاسلكية IC
مقاوم الرقاقة
شريحة التخزين 2
شريحة إيثرنت
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

منتجات مماثلة

IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

احصل على أفضل سعر

IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

احصل على أفضل سعر

K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

احصل على أفضل سعر

IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

احصل على أفضل سعر

MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

احصل على أفضل سعر

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

احصل على أفضل سعر

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر

الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

احصل على أفضل سعر

رقم جزء الشركة المصنعة:	NUC130RE3CN	النوع:	الدوائر المتكاملة، LOGIC ICS
الوصف:	متحكم IC	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c	نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس	التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز	التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	-	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ	الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز	أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	-	الوظيفة:	-
توريد الجهد - داخلي:	-	التردد - القطع أو المركز:	-
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	-	قوة معزولة:	-
الجهد - العزلة:	-	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	-
الحالي - ذروة الانتاج:	-	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	-
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	-	مدخل نوع:	-
نوع الإخراج:	-	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	-
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	-	الجهد - الخروج (ماكس):	-
الجهد - خارج الدولة:	-	ثابت dV / dt (دقيقة):	-
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	-	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	-
عائق:	-	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	-
تردد LO:	-	تردد RF:	-
نطاق الإدخال:	-	الطاقة الخارجة:	-
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	-	المواصفات:	-
الحجم / البعد:	-	تعديل أو بروتوكول:	-
واجهة:	-	مخرج قوي:	20.5 ديسيبل و20.5 ديسيبل
حجم الذاكرة:	448 كيلو بايت روم، 536 كيلو بايت سرام	بروتوكول:	802.11b/g/n
تعديل:	CCK ، DSSS ، OFDM	واجهات تسلسلية:	GPIO، IC، IS، PWM، SDIO، SPI، UART
GPIO:	-	استخدام IC / الجزء:	ESP32-D0WD، ESP32-D0WD
المعايير:	-	الأسلوب:	-
نوع الذاكرة:	-	ذاكرة قابلة للكتابة:	-
المقاومة (أوم):	-	إشارة الصليب:	-
الجزء لا.:	NUC130RE3CN	مستوى الجودة:	أصلي
الميناء:	شنتشين

أنواع الرقائق المتوفرة لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	دوائر IC للمقارنة	مشفر/فك التشفير	دوائر IC تعمل باللمس
دوائر IC المرجعية للجهد	مضخم	كاشف إعادة الضبط IC	مضخم طاقة IC
دوائر IC لمعالجة الأشعة تحت الحمراء	شريحة واجهة	شريحة بلوتوث	رقائق الرفع والخفض
رقائق قاعدة الوقت	رقائق اتصالات الساعة	جهاز الإرسال والاستقبال IC	دوائر RF اللاسلكية IC
مقاوم الرقاقة	شريحة التخزين 2	شريحة إيثرنت	دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

المكونات الإلكترونية بوم NUC130RE3CN R5F100LEAFA#V0 QFP64

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات