المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > MCU IC EM78P447NAPJ EM78P447NAMJ EM78P418ND20 DIP-28 لمكيف الهواء

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

MCU IC EM78P447NAPJ EM78P447NAMJ EM78P418ND20 DIP-28 لمكيف الهواء

Name: MCU IC EM78P447NAPJ EM78P447NAMJ EM78P418ND20 DIP-28 لمكيف الهواء
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: em78p447napj
Price: 0.99 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: original

رقم الموديل: em78p447napj

شروط الدفع والشحن

الأسعار: $0.99/pieces 1-999 pieces

تفاصيل التغليف: MCU ic EM78P447NAPJ EM78P447NAMJ EM78P418ND20 DIP-28 for air conditioner MCU ic EM78P447NA

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

الاسم:

em78p447napj إيك

النوع:

دائرة متكاملة ، محرك IC

الوصف:

MCU إيك

الجهد - الانهيار:

الخامس

التردد - التبديل:

هرتز

القوة (واط):

دبليو

درجة حرارة العمل:

c

نوع التثبيت:

معيار

الجهد - العرض (دقيقة):

الخامس

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

الخامس

الجهد - الإخراج:

الخامس

التيار - الإخراج / القناة:

أ

التكرار:

هرتز

التطبيقات:

دارة متكاملة

نوع FET:

-

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

-

التيار - العرض:

-

الجهد - الإمدادات:

-

التردد - أقصى:

-

أقصى القوة:

-

التسامح:

-

الوظيفة:

-

توريد الجهد - داخلي:

-

التردد - القطع أو المركز:

-

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

-

قوة معزولة:

-

الجهد - العزلة:

-

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

-

الحالي - ذروة الانتاج:

-

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

-

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

-

مدخل نوع:

-

نوع الإخراج:

-

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

-

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

-

الجهد - الخروج (ماكس):

-

الجهد - خارج الدولة:

-

ثابت dV / dt (دقيقة):

-

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

-

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

-

معاوقة:

-

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

-

تردد LO:

-

تردد RF:

-

نطاق الإدخال:

-

الطاقة الخارجة:

-

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

-

المواصفات:

-

الحجم / البعد:

-

تعديل أو بروتوكول:

-

واجهة:

-

مخرج قوي:

20.5 ديسيبل و20.5 ديسيبل

حجم الذاكرة:

448 كيلو بايت روم، 536 كيلو بايت سرام

بروتوكول:

802.11b / ز / ن

تعديل:

CCK ، DSSS ، OFDM

واجهات تسلسلية:

GPIO، IC، IS، PWM، SDIO، SPI، UART

GPIO:

-

استخدام IC / الجزء:

ESP32-D0WD، ESP32-D0WD

المعايير:

-

الأسلوب:

-

نوع الذاكرة:

-

ذاكرة قابلة للكتابة:

-

المقاومة (أوم):

-

إشارة الصليب:

-

الميناء:

شنتشن

الاسم:

em78p447napj إيك

النوع:

دائرة متكاملة ، محرك IC

الوصف:

MCU إيك

الجهد - الانهيار:

الخامس

التردد - التبديل:

هرتز

القوة (واط):

دبليو

درجة حرارة العمل:

c

نوع التثبيت:

معيار

الجهد - العرض (دقيقة):

الخامس

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

الخامس

الجهد - الإخراج:

الخامس

التيار - الإخراج / القناة:

أ

التكرار:

هرتز

التطبيقات:

دارة متكاملة

نوع FET:

-

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

-

التيار - العرض:

-

الجهد - الإمدادات:

-

التردد - أقصى:

-

أقصى القوة:

-

التسامح:

-

الوظيفة:

-

توريد الجهد - داخلي:

-

التردد - القطع أو المركز:

-

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

-

قوة معزولة:

-

الجهد - العزلة:

-

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

-

الحالي - ذروة الانتاج:

-

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

-

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

-

مدخل نوع:

-

نوع الإخراج:

-

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

-

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

-

الجهد - الخروج (ماكس):

-

الجهد - خارج الدولة:

-

ثابت dV / dt (دقيقة):

-

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

-

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

-

معاوقة:

-

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

-

تردد LO:

-

تردد RF:

-

نطاق الإدخال:

-

الطاقة الخارجة:

-

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

-

المواصفات:

-

الحجم / البعد:

-

تعديل أو بروتوكول:

-

واجهة:

-

مخرج قوي:

20.5 ديسيبل و20.5 ديسيبل

حجم الذاكرة:

448 كيلو بايت روم، 536 كيلو بايت سرام

بروتوكول:

802.11b / ز / ن

تعديل:

CCK ، DSSS ، OFDM

واجهات تسلسلية:

GPIO، IC، IS، PWM، SDIO، SPI، UART

GPIO:

-

استخدام IC / الجزء:

ESP32-D0WD، ESP32-D0WD

المعايير:

-

الأسلوب:

-

نوع الذاكرة:

-

ذاكرة قابلة للكتابة:

-

المقاومة (أوم):

-

إشارة الصليب:

-

الميناء:

شنتشن

MCU IC EM78P447NAPJ EM78P447NAMJ EM78P418ND20 DIP-28 لمكيف الهواء

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة
مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
DC22+
MOQ: 1pc
الحزمة: القياسية
مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا

دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
وحدات مقارنة
مكشف - مكشف
أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد
مكبر
إعادة تعيين جهاز الكشف IC
مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء
شريحة الواجهة
شريحة بلوتوث
(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن
رقائق الاتصال بالساعة
IC الإرسال
IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة
شريحة التخزين 2
شريحة الايثرنت
الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

منتجات مماثلة

IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

احصل على أفضل سعر

IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

احصل على أفضل سعر

K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

احصل على أفضل سعر

IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

احصل على أفضل سعر

MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

احصل على أفضل سعر

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

احصل على أفضل سعر

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر

الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

احصل على أفضل سعر

الاسم:	em78p447napj إيك	النوع:	دائرة متكاملة ، محرك IC
الوصف:	MCU إيك	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c	نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس	التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز	التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	-	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	-
التيار - العرض:	-	الجهد - الإمدادات:	-
التردد - أقصى:	-	أقصى القوة:	-
التسامح:	-	الوظيفة:	-
توريد الجهد - داخلي:	-	التردد - القطع أو المركز:	-
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	-	قوة معزولة:	-
الجهد - العزلة:	-	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	-
الحالي - ذروة الانتاج:	-	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	-
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	-	مدخل نوع:	-
نوع الإخراج:	-	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	-
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	-	الجهد - الخروج (ماكس):	-
الجهد - خارج الدولة:	-	ثابت dV / dt (دقيقة):	-
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	-	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	-
معاوقة:	-	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	-
تردد LO:	-	تردد RF:	-
نطاق الإدخال:	-	الطاقة الخارجة:	-
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	-	المواصفات:	-
الحجم / البعد:	-	تعديل أو بروتوكول:	-
واجهة:	-	مخرج قوي:	20.5 ديسيبل و20.5 ديسيبل
حجم الذاكرة:	448 كيلو بايت روم، 536 كيلو بايت سرام	بروتوكول:	802.11b / ز / ن
تعديل:	CCK ، DSSS ، OFDM	واجهات تسلسلية:	GPIO، IC، IS، PWM، SDIO، SPI، UART
GPIO:	-	استخدام IC / الجزء:	ESP32-D0WD، ESP32-D0WD
المعايير:	-	الأسلوب:	-
نوع الذاكرة:	-	ذاكرة قابلة للكتابة:	-
المقاومة (أوم):	-	إشارة الصليب:	-
الميناء:	شنتشن

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

MCU IC EM78P447NAPJ EM78P447NAMJ EM78P418ND20 DIP-28 لمكيف الهواء

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات