logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
arabic
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
إقتباس
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
اتصل بنا
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
الفئات

المكونات الإلكترونية المرحلية

(57576)

ST ICS

(681)

RENESAS IC

(105)

ADI للأجهزة التناظرية

(996)

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

(911)

فريسكالي أشباه الموصلات

(492)

فيشاي IC

(204)

مكونات Infineon الإلكترونية

(161)

الدوائر المتكاملة IC

(258)

AOS IC

(545)

مكونات اتميل الإلكترونية

(127)

ألتيرا تشيب

(178)

Xilinx IC

(167)

وحدة التحكم الدقيقة

(2099)

ميكرون ISSI سامسونج

(2837)

الترانزستور الصمام الثنائي

(2061)

ROHM UTC ICS

(2643)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)
الاتصالات
الاتصالات: Miss. Amy
الهاتف: 86-180-3344-1064
فاكس:
اتصل الآن
أرسل لنا
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون

PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

شروط الدفع والشحن

الأسعار: $0.99/pieces 1-999 pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 60000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج
إبراز:
درجة حرارة العمل:
c
مسلسل:
رقاقة IC للمتحكم الدقيق
نوع التثبيت:
المعيار
الوصف:
مكون شريحة IC التذكارية الإلكترونية
رقم جزء الشركة المصنعة:
PMV50EPEAR MOSFET P-CH
النوع:
متحكم
المصنع:
إبداعي
كود تاريخ التصنيع:
N/A
نوع الوحدة / اللوحة:
معيار
المعالج الأساسي:
المعيار
معالج مشارك:
معيار
السرعة:
معيار
حجم الفلاش:
معيار
حجم ذاكرة الوصول العشوائي:
معيار
نوع الموصل:
المعيار
الحجم / البعد:
معيار
التعبئة:
المعيار
حجم اللب:
معيار
الاتصال:
معيار
ملحقات:
معيار
عدد I / O:
معيار
حجم ذاكرة البرنامج:
معيار
نوع ذاكرة البرنامج:
معيار
حجم إيبروم:
معيار
الجهد - العرض (Vcc / Vdd):
الخامس
محولات البيانات:
المعيار
نوع المذبذب:
معيار
سلسلة تحكم:
المعيار
واجهة:
المعيار
الجهد - الإمدادات:
الخامس
الحزمة / الحقيبة:
معيار
عدد النوى / عرض الحافلة:
معيار
وحدات تحكم ذاكرة الوصول العشوائي:
معيار
تسريع الرسومات:
المعيار
وحدات تحكم العرض والواجهة:
معيار
إيثرنت:
معيار
USB:
معيار
الجهد - I / O:
الخامس
إشارة الصليب:
المعيار
التطبيق:
مجلس الكلور
الحالة:
علامة تجارية جديدة ومبتكرة
يؤدي مجانا:
متوافق مع الـ Rohs
التعبئة:
حامل التعبئة
الشحن عن طريق:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الضمان:
30-90 يوم
طريقة الدفع:
PAYPAL \ TT \ VISA \ ضمان التجارة
المعالجات المشتركة / DSP:
المعيار
الميناء:
شنتشن/شنغهاي/هونغ كونغ
درجة حرارة العمل:
c
مسلسل:
رقاقة IC للمتحكم الدقيق
نوع التثبيت:
المعيار
الوصف:
مكون شريحة IC التذكارية الإلكترونية
رقم جزء الشركة المصنعة:
PMV50EPEAR MOSFET P-CH
النوع:
متحكم
المصنع:
إبداعي
كود تاريخ التصنيع:
N/A
نوع الوحدة / اللوحة:
معيار
المعالج الأساسي:
المعيار
معالج مشارك:
معيار
السرعة:
معيار
حجم الفلاش:
معيار
حجم ذاكرة الوصول العشوائي:
معيار
نوع الموصل:
المعيار
الحجم / البعد:
معيار
التعبئة:
المعيار
حجم اللب:
معيار
الاتصال:
معيار
ملحقات:
معيار
عدد I / O:
معيار
حجم ذاكرة البرنامج:
معيار
نوع ذاكرة البرنامج:
معيار
حجم إيبروم:
معيار
الجهد - العرض (Vcc / Vdd):
الخامس
محولات البيانات:
المعيار
نوع المذبذب:
معيار
سلسلة تحكم:
المعيار
واجهة:
المعيار
الجهد - الإمدادات:
الخامس
الحزمة / الحقيبة:
معيار
عدد النوى / عرض الحافلة:
معيار
وحدات تحكم ذاكرة الوصول العشوائي:
معيار
تسريع الرسومات:
المعيار
وحدات تحكم العرض والواجهة:
معيار
إيثرنت:
معيار
USB:
معيار
الجهد - I / O:
الخامس
إشارة الصليب:
المعيار
التطبيق:
مجلس الكلور
الحالة:
علامة تجارية جديدة ومبتكرة
يؤدي مجانا:
متوافق مع الـ Rohs
التعبئة:
حامل التعبئة
الشحن عن طريق:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الضمان:
30-90 يوم
طريقة الدفع:
PAYPAL \ TT \ VISA \ ضمان التجارة
المعالجات المشتركة / DSP:
المعيار
الميناء:
شنتشن/شنغهاي/هونغ كونغ
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون 0

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
DC22+
MOQ: 1pc
الحزمة: القياسية
مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.
نوع الرقائق لدينا



دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
وحدات مقارنة
مكشف - مكشف
أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد
مكبر
إعادة تعيين جهاز الكشف IC
مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء
شريحة الواجهة
شريحة بلوتوث
(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن
رقائق الاتصال بالساعة
IC الإرسال
IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة
شريحة التخزين 2
شريحة الايثرنت
الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون 1
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون 2
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون 3
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون 4
PMV50EPEAR MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB الالكترون الذاكرة رقاقة IC المكون 5

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

منتجات مماثلة
IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

احصل على أفضل سعر
IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

احصل على أفضل سعر
K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

احصل على أفضل سعر
IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

احصل على أفضل سعر
MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

احصل على أفضل سعر
PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

احصل على أفضل سعر
IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر
ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

احصل على أفضل سعر
المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر
المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر
الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

احصل على أفضل سعر
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
المنتجات

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
الغرفة 2808-2809 ، Duhuixuan ، رقم 3018 ، شارع شينان ، مجتمع Huahang ، شارع Huaqiang North ، منطقة Futian ، Shenzhen
روابط سريعة
ملف الشركة جولة في المصنع مراقبة الجودة أخبار خريطة الموقع سياسة الخصوصية
الصين جودة جيدة المكونات الإلكترونية المرحلية المورد. حقوق الطبع والنشر © 2023-2025 electroniccomponentsics.com جميع الحقوق محفوظة