المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > التحكم في التيار الثابت IC Chip Pwm Controller CL1112 DIP-8

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

التحكم في التيار الثابت IC Chip Pwm Controller CL1112 DIP-8

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: ALL BRAND

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $0.10 - $1.00/pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم جزء الشركة المصنعة:	CL1112	النوع:	منظم ضغط كهربي
الوصف:	m8p إيك	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	ك	نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	معيار	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	المعيار
الجهد - الإخراج:	معيار	التيار - الإخراج / القناة:	المعيار
التكرار:	معيار	التطبيقات:	رقائق IC
نوع FET:	معيار	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	معيار
التيار - العرض:	أ	الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	معيار	أقصى القوة:	المعيار
التسامح:	المعيار	الوظيفة:	معيار
توريد الجهد - داخلي:	المعيار	التردد - القطع أو المركز:	المعيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار	قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	معيار	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	معيار
الحالي - ذروة الانتاج:	المعيار	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	معيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	معيار	مدخل نوع:	معيار
نوع الإخراج:	معيار	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	المعيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار	الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار	ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	المعيار
تردد LO:	معيار	تردد RF:	المعيار
نطاق الإدخال:	معيار	الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار	المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار	تعديل أو بروتوكول:	معيار
واجهة:	معيار	مخرج قوي:	المعيار
حجم الذاكرة:	المعيار	بروتوكول:	معيار
تعديل:	المعيار	واجهات تسلسلية:	المعيار
GPIO:	معيار	استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار	الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	المعيار	ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	معيار	إشارة الصليب:	معيار
اسم:	الترانزستور cl1112 (ic)	الميناء:	شنتشن

رقم جزء الشركة المصنعة:	CL1112
النوع:	منظم ضغط كهربي
الوصف:	m8p إيك
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	ك
نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	معيار
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	المعيار
الجهد - الإخراج:	معيار
التيار - الإخراج / القناة:	المعيار
التكرار:	معيار
التطبيقات:	رقائق IC
نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	معيار
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	معيار
أقصى القوة:	المعيار
التسامح:	المعيار
الوظيفة:	معيار
توريد الجهد - داخلي:	المعيار
التردد - القطع أو المركز:	المعيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار
قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	معيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	معيار
الحالي - ذروة الانتاج:	المعيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	معيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	معيار
مدخل نوع:	معيار
نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	المعيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	المعيار
تردد LO:	معيار
تردد RF:	المعيار
نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار
المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	معيار
واجهة:	معيار
مخرج قوي:	المعيار
حجم الذاكرة:	المعيار
بروتوكول:	معيار
تعديل:	المعيار
واجهات تسلسلية:	المعيار
GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار
الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	معيار
إشارة الصليب:	معيار
اسم:	الترانزستور cl1112 (ic)
الميناء:	شنتشن

التحكم في التيار الثابت IC Chip Pwm Controller CL1112 DIP-8

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

DC22+

MOQ: 1pc

الحزمة: القياسية

مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

التحكم في التيار الثابت IC Chip Pwm Controller CL1112 DIP-8

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات