logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
arabic
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
إقتباس
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
اتصل بنا
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الفئات

المكونات الإلكترونية المرحلية

(57576)

ST ICS

(681)

RENESAS IC

(105)

ADI للأجهزة التناظرية

(996)

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

(911)

فريسكالي أشباه الموصلات

(492)

فيشاي IC

(204)

مكونات Infineon الإلكترونية

(161)

الدوائر المتكاملة IC

(258)

AOS IC

(545)

مكونات اتميل الإلكترونية

(127)

ألتيرا تشيب

(178)

Xilinx IC

(167)

وحدة التحكم الدقيقة

(2099)

ميكرون ISSI سامسونج

(2837)

الترانزستور الصمام الثنائي

(2061)

ROHM UTC ICS

(2643)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)
الاتصالات
الاتصالات: Miss. Amy
الهاتف: 86-180-3344-1064
فاكس:
اتصل الآن
أرسل لنا
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube

الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: ALL BRAND

رقم الموديل: NCE80H12

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $0.53/pieces 10-99 pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 100000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج
إبراز:
النوع:
MOSFET ، MOSFET
نوع التثبيت:
المعيار
الوصف:
-
نوع الحزمة:
ثرويد هول
التطبيق:
هدف عام
نوع المورد:
بائع تجزئة
الوسائط المتاحة:
ورقة البيانات ، الصورة
العلامة التجارية:
TO-220 أنبوب موسفيت موس
الحزمة / الحقيبة:
NCE80H12
التطبيقات:
رقائق IC
اسم المنتج:
60H15 55H12 150V 60A TO-220 أنبوب موسفيت
الميناء:
شنتشن
النوع:
MOSFET ، MOSFET
نوع التثبيت:
المعيار
الوصف:
-
نوع الحزمة:
ثرويد هول
التطبيق:
هدف عام
نوع المورد:
بائع تجزئة
الوسائط المتاحة:
ورقة البيانات ، الصورة
العلامة التجارية:
TO-220 أنبوب موسفيت موس
الحزمة / الحقيبة:
NCE80H12
التطبيقات:
رقائق IC
اسم المنتج:
60H15 55H12 150V 60A TO-220 أنبوب موسفيت
الميناء:
شنتشن
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

مرحباً بكم في شركتنا! نحن مصدرك الشامل للمكونات الإلكترونية (BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتك المتنوعة. نقدم: - أشباه الموصلات: المتحكمات الدقيقة، الترانزستورات، الثنائيات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحاثات، الموصلات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيح، المرحلات، مشغلات المستشعرات - إمدادات الطاقة: منظمات الجهد، محولات الطاقة، إدارة البطارية - الإلكترونيات الضوئية: مصابيح LED، الليزر، الثنائيات الضوئية، المستشعرات البصرية - مكونات الترددات اللاسلكية واللاسلكية: وحدات الترددات اللاسلكية، الهوائيات، الاتصالات اللاسلكية - المستشعرات: مستشعرات درجة الحرارة، مستشعرات الحركة، المستشعرات البيئية.
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube 0

النوع: دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
تيار مستمر: 22+
الحد الأدنى لكمية الطلب: 1 قطعة
العبوة: قياسي
نطاق الرقائق الوظيفية واسع ويغطي العديد من مجالات التطبيقات المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور والتحكم في المستشعرات ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة والمزيد.
أنواع الرقائق المتوفرة لدينا



دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
دوائر IC للمقارنة
مشفر/فك التشفير
دوائر IC تعمل باللمس
دوائر IC المرجعية للجهد
مضخم صوت
كاشف إعادة الضبط IC
دوائر IC لمضخم الطاقة
دوائر IC لمعالجة الأشعة تحت الحمراء
شريحة واجهة
شريحة بلوتوث
رقائق الرفع والخفض
رقائق قاعدة الوقت
رقائق اتصالات الساعة
جهاز الإرسال والاستقبال IC
دوائر IC للترددات اللاسلكية اللاسلكية
مقاوم شريحة
شريحة تخزين 2
شريحة إيثرنت
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube 1
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube 2
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube 3
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube 4
الكترونية NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A 5A 2A 90A 15A إلى 220 Mosfet Mos Tube 5

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

منتجات مماثلة
IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

احصل على أفضل سعر
IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

احصل على أفضل سعر
K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

احصل على أفضل سعر
IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

احصل على أفضل سعر
MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

احصل على أفضل سعر
PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

احصل على أفضل سعر
IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر
ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

احصل على أفضل سعر
المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر
المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر
الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

احصل على أفضل سعر
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
المنتجات

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
الغرفة 2808-2809 ، Duhuixuan ، رقم 3018 ، شارع شينان ، مجتمع Huahang ، شارع Huaqiang North ، منطقة Futian ، Shenzhen
روابط سريعة
ملف الشركة جولة في المصنع مراقبة الجودة أخبار خريطة الموقع سياسة الخصوصية
الصين جودة جيدة المكونات الإلكترونية المرحلية المورد. حقوق الطبع والنشر © 2023-2025 electroniccomponentsics.com جميع الحقوق محفوظة