المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > الشريحة UAA1006 DIP18

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

الشريحة UAA1006 DIP18

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: ALL BRAND

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $1.00 - $9.00/pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم جزء الشركة المصنعة:	UAA1006	النوع:	المنطق المرحلي
الجهد - الانهيار:	الخامس	التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو	درجة حرارة العمل:	ك
نوع التثبيت:	معيار	الجهد - العرض (دقيقة):	معيار
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	معيار	الجهد - الإخراج:	معيار
التيار - الإخراج / القناة:	المعيار	التكرار:	معيار
التطبيقات:	دارة متكاملة	نوع FET:	المعيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	معيار	التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس	التردد - أقصى:	معيار
أقصى القوة:	المعيار	التسامح:	معيار
الوظيفة:	المعيار	توريد الجهد - داخلي:	معيار
التردد - القطع أو المركز:	معيار	التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار
قوة معزولة:	معيار	الجهد - العزلة:	معيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	معيار	الحالي - ذروة الانتاج:	معيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	المعيار	الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	المعيار
مدخل نوع:	معيار	نوع الإخراج:	المعيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	المعيار	نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار	الجهد - خارج الدولة:	معيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار	الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	المعيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار	عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار	تردد LO:	معيار
تردد RF:	المعيار	نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	دبليو	نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	المعيار
المواصفات:	معيار	الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	معيار	واجهة:	معيار
مخرج قوي:	المعيار	حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	المعيار	تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار	GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	معيار	المعايير:	معيار
الأسلوب:	معيار	نوع الذاكرة:	معيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار	المقاومة (أوم):	المعيار
إشارة الصليب:	معيار	الحالة:	علامة تجارية جديدة ومبتكرة
يؤدي مجانا:	متوافق مع الـ Rohs	التعبئة:	حامل التعبئة
الشحن عن طريق:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post	الضمان:	30-90 يوم
اسم:	إيك uaa1006	الميناء:	شنتشن

رقم جزء الشركة المصنعة:	UAA1006
النوع:	المنطق المرحلي
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	ك
نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	معيار
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	معيار
الجهد - الإخراج:	معيار
التيار - الإخراج / القناة:	المعيار
التكرار:	معيار
التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	المعيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	معيار
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	معيار
أقصى القوة:	المعيار
التسامح:	معيار
الوظيفة:	المعيار
توريد الجهد - داخلي:	معيار
التردد - القطع أو المركز:	معيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار
قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	معيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	معيار
الحالي - ذروة الانتاج:	معيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	المعيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	المعيار
مدخل نوع:	معيار
نوع الإخراج:	المعيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	المعيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	معيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	المعيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	معيار
تردد RF:	المعيار
نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	المعيار
المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	معيار
واجهة:	معيار
مخرج قوي:	المعيار
حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	المعيار
تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار
الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	معيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار
المقاومة (أوم):	المعيار
إشارة الصليب:	معيار
الحالة:	علامة تجارية جديدة ومبتكرة
يؤدي مجانا:	متوافق مع الـ Rohs
التعبئة:	حامل التعبئة
الشحن عن طريق:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الضمان:	30-90 يوم
اسم:	إيك uaa1006
الميناء:	شنتشن

الشريحة UAA1006 DIP18

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

مرحباً بكم في شركتنا! نحن مصدرك الشامل للمكونات الإلكترونية (BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتك المتنوعة. نقدم: - أشباه الموصلات: المتحكمات الدقيقة، الترانزستورات، الثنائيات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحاثات، الموصلات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيح، المرحلات، مشغلات المستشعرات - إمدادات الطاقة: منظمات الجهد، محولات الطاقة، إدارة البطارية - الإلكترونيات الضوئية: مصابيح LED، الليزر، الثنائيات الضوئية، المستشعرات البصرية - مكونات الترددات اللاسلكية واللاسلكية: وحدات الترددات اللاسلكية، الهوائيات، الاتصالات اللاسلكية - المستشعرات: مستشعرات درجة الحرارة، مستشعرات الحركة، المستشعرات البيئية.

النوع: دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

تيار مستمر: 22+

الحد الأدنى لكمية الطلب: 1 قطعة

العبوة: قياسي

نطاق الرقائق الوظيفية واسع ويغطي العديد من مجالات التطبيقات المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور والتحكم في المستشعرات ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة والمزيد.

أنواع الرقائق المتوفرة لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	دوائر IC للمقارنة	مشفر/فك التشفير	دوائر IC تعمل باللمس
دوائر IC المرجعية للجهد	مضخم صوت	كاشف إعادة الضبط IC	دوائر IC لمضخم الطاقة
دوائر IC لمعالجة الأشعة تحت الحمراء	شريحة واجهة	شريحة بلوتوث	رقائق الرفع والخفض
رقائق قاعدة الوقت	رقائق اتصالات الساعة	جهاز الإرسال والاستقبال IC	دوائر IC للترددات اللاسلكية اللاسلكية
مقاوم شريحة	شريحة تخزين 2	شريحة إيثرنت	دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

الشريحة UAA1006 DIP18

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات