المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > الشريحة الأصلية Emmc 32Gb Ic KLMBG4WEBC-B031 BGA Wholesale

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

الشريحة الأصلية Emmc 32Gb Ic KLMBG4WEBC-B031 BGA Wholesale

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: فيلبيني

اسم العلامة التجارية: ALL Brand

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $2.50 - $16.00/pieces

تفاصيل التغليف: صندوق / كيس / أنبوب / بكرة

القدرة على العرض: 3000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم جزء الشركة المصنعة:	KLMBG4WEBC-B031	النوع:	المنطق المرحلي
الوصف:	رقاقة IC لوحدة التحكم الدقيقة CMOS	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c	نوع التثبيت:	سمت/ثت
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس	التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز	التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	-	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ	الجهد - الإمدادات:	أ
التردد - أقصى:	هرتز	أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	-	الوظيفة:	-
توريد الجهد - داخلي:	الخامس	التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	-	قوة معزولة:	-
الجهد - العزلة:	-	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	-
الحالي - ذروة الانتاج:	-	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	-
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	معيار	مدخل نوع:	المعيار
نوع الإخراج:	معيار	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار	الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار	ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	المعيار	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	معيار	تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	معيار	الطاقة الخارجة:	معيار
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	المعيار	المواصفات:	المعيار
الحجم / البعد:	معيار	تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	المعيار	مخرج قوي:	معيار
حجم الذاكرة:	معيار	بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار	واجهات تسلسلية:	المعيار
GPIO:	معيار	استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار	الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	المعيار	ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	معيار	إشارة الصليب:	المعيار
النموذج:	KLMBG4WEBC-B031	الميناء:	sz / هونج كونج

رقم جزء الشركة المصنعة:	KLMBG4WEBC-B031
النوع:	المنطق المرحلي
الوصف:	رقاقة IC لوحدة التحكم الدقيقة CMOS
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	سمت/ثت
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز
التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	-
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	أ
التردد - أقصى:	هرتز
أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	-
الوظيفة:	-
توريد الجهد - داخلي:	الخامس
التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	-
قوة معزولة:	-
الجهد - العزلة:	-
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	-
الحالي - ذروة الانتاج:	-
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	-
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	معيار
مدخل نوع:	المعيار
نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	المعيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	معيار
تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	معيار
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	المعيار
المواصفات:	المعيار
الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	المعيار
مخرج قوي:	معيار
حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	المعيار
GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار
الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	معيار
إشارة الصليب:	المعيار
النموذج:	KLMBG4WEBC-B031
الميناء:	sz / هونج كونج

الشريحة الأصلية Emmc 32Gb Ic KLMBG4WEBC-B031 BGA Wholesale

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

مرحباً بكم في شركتنا! نحن مصدرك الشامل للمكونات الإلكترونية (BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتك المتنوعة. نقدم: - أشباه الموصلات: المتحكمات الدقيقة، الترانزستورات، الثنائيات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحاثات، الموصلات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيح، المرحلات، مشغلات الاستشعار - إمدادات الطاقة: منظمات الجهد، محولات الطاقة، إدارة البطارية - الإلكترونيات الضوئية: مصابيح LED، الليزر، الثنائيات الضوئية، المستشعرات البصرية - مكونات الترددات اللاسلكية واللاسلكية: وحدات الترددات اللاسلكية، الهوائيات، الاتصالات اللاسلكية - المستشعرات: مستشعرات درجة الحرارة، مستشعرات الحركة، المستشعرات البيئية.

النوع: دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

تيار مستمر: 22+

الحد الأدنى لكمية الطلب: 1 قطعة

العبوة: قياسي

نطاق الرقائق الوظيفية واسع ويغطي العديد من مجالات التطبيقات المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور والتحكم في المستشعرات ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة والمزيد.

أنواع الرقائق المتوفرة لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	دوائر IC للمقارنة	مشفر/فك تشفير	دوائر IC تعمل باللمس
دوائر IC مرجعية للجهد	مضخم صوت	دوائر IC للكشف عن إعادة الضبط	دوائر IC لمضخم الطاقة
دوائر IC لمعالجة الأشعة تحت الحمراء	شريحة واجهة	شريحة بلوتوث	رقائق تعزيز وخفض الجهد
رقائق قاعدة زمنية	رقائق اتصالات الساعة	دوائر IC للإرسال والاستقبال	دوائر IC للترددات اللاسلكية اللاسلكية
مقاوم رقاقة	شريحة تخزين 2	شريحة إيثرنت	دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

الشريحة الأصلية Emmc 32Gb Ic KLMBG4WEBC-B031 BGA Wholesale

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات