المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > المكونات الإلكترونية بوم TPS63031DSKR SN74LVC1G34DBVR 3.3V 0.9A SON-10 جهاز تنظيم الجهد التبديلي IC Chip

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

المكونات الإلكترونية بوم TPS63031DSKR SN74LVC1G34DBVR 3.3V 0.9A SON-10 جهاز تنظيم الجهد التبديلي IC Chip

Name: المكونات الإلكترونية بوم TPS63031DSKR SN74LVC1G34DBVR 3.3V 0.9A SON-10 جهاز تنظيم الجهد التبديلي IC Chip
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: TPS63031DSKR
Price: 0.50 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: الولايات المتحدة;غوا

اسم العلامة التجارية: ALL BRAND

رقم الموديل: TPS63031DSKR

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $0.50 - $2.00/pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

اسم:	TPS63031DSKR	النوع:	الدائرة المتكاملة، منظم الجهد
الوصف:	تبديل رقاقة منظم الجهد ic	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c	نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس	التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز	التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	معيار	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	معيار
التيار - العرض:	أ	الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز	أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	معيار	الوظيفة:	الأجهزة الطبية وأجهزة الاستشعار
توريد الجهد - داخلي:	معيار	التردد - القطع أو المركز:	معيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار	قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	معيار	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	المعيار
الحالي - ذروة الانتاج:	المعيار	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	معيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	المعيار	مدخل نوع:	المعيار
نوع الإخراج:	معيار	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار	الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار	ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	المعيار
تردد LO:	معيار	تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	المعيار	الطاقة الخارجة:	معيار
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار	المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار	تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	معيار	مخرج قوي:	المعيار
حجم الذاكرة:	معيار	بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار	واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	معيار	استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار	الأسلوب:	المعيار
نوع الذاكرة:	المعيار	ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	المعيار	إشارة الصليب:	المعيار
الميناء:	شنتشن

اسم:	TPS63031DSKR
النوع:	الدائرة المتكاملة، منظم الجهد
الوصف:	تبديل رقاقة منظم الجهد ic
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	معيار
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز
التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	معيار
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز
أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	معيار
الوظيفة:	الأجهزة الطبية وأجهزة الاستشعار
توريد الجهد - داخلي:	معيار
التردد - القطع أو المركز:	معيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	معيار
قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	معيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	المعيار
الحالي - ذروة الانتاج:	المعيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	معيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	المعيار
مدخل نوع:	المعيار
نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	معيار
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	المعيار
تردد LO:	معيار
تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	المعيار
الطاقة الخارجة:	معيار
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار
المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	معيار
مخرج قوي:	المعيار
حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار
الأسلوب:	المعيار
نوع الذاكرة:	المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	المعيار
إشارة الصليب:	المعيار
الميناء:	شنتشن

المكونات الإلكترونية بوم TPS63031DSKR SN74LVC1G34DBVR 3.3V 0.9A SON-10 جهاز تنظيم الجهد التبديلي IC Chip

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

DC22+

MOQ: 1pc

الحزمة: القياسية

مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

المكونات الإلكترونية بوم TPS63031DSKR SN74LVC1G34DBVR 3.3V 0.9A SON-10 جهاز تنظيم الجهد التبديلي IC Chip

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات