logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
arabic
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
إقتباس
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
اتصل بنا
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
الفئات

المكونات الإلكترونية المرحلية

(57576)

ST ICS

(681)

RENESAS IC

(105)

ADI للأجهزة التناظرية

(996)

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

(911)

فريسكالي أشباه الموصلات

(492)

فيشاي IC

(204)

مكونات Infineon الإلكترونية

(161)

الدوائر المتكاملة IC

(258)

AOS IC

(545)

مكونات اتميل الإلكترونية

(127)

ألتيرا تشيب

(178)

Xilinx IC

(167)

وحدة التحكم الدقيقة

(2099)

ميكرون ISSI سامسونج

(2837)

الترانزستور الصمام الثنائي

(2061)

ROHM UTC ICS

(2643)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)
الاتصالات
الاتصالات: Miss. Amy
الهاتف: 86-180-3344-1064
فاكس:
اتصل الآن
أرسل لنا
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد

شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: ALL BRAND

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $15.00 - $27.00/pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج
إبراز:
رقم جزء الشركة المصنعة:
K4G80325FB-HC25
النوع:
الدائرة المتكاملة، منظم الجهد
الوصف:
شريحة IC لذاكرة الفيديو
الجهد - الانهيار:
الخامس
التردد - التبديل:
معيار
القوة (واط):
دبليو
درجة حرارة العمل:
c
نوع التثبيت:
سمت
الجهد - العرض (دقيقة):
الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):
الخامس
الجهد - الإخراج:
الخامس
التيار - الإخراج / القناة:
أ
التكرار:
هرتز
التطبيقات:
الاستشعار والأجهزة
نوع FET:
معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):
معيار
التيار - العرض:
معيار
الجهد - الإمدادات:
معيار
التردد - أقصى:
المعيار
أقصى القوة:
دبليو
التسامح:
K4G80325FB-HC25
الوظيفة:
K4G80325FB-HC25
توريد الجهد - داخلي:
K4G80325FB-HC25
التردد - القطع أو المركز:
معيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):
معيار
قوة معزولة:
معيار
الجهد - العزلة:
معيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:
معيار
الحالي - ذروة الانتاج:
المعيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):
المعيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):
K4G80325FB-HC25
مدخل نوع:
K4G80325FB-HC25
نوع الإخراج:
K4G80325FB-HC25
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):
معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):
معيار
الجهد - الخروج (ماكس):
معيار
الجهد - خارج الدولة:
معيار
ثابت dV / dt (دقيقة):
المعيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):
معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):
معيار
عائق:
معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:
معيار
تردد LO:
المعيار
تردد RF:
معيار
نطاق الإدخال:
معيار
الطاقة الخارجة:
دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):
معيار
المواصفات:
معيار
الحجم / البعد:
معيار
تعديل أو بروتوكول:
معيار
واجهة:
المعيار
مخرج قوي:
معيار
حجم الذاكرة:
المعيار
بروتوكول:
معيار
تعديل:
معيار
واجهات تسلسلية:
معيار
GPIO:
معيار
استخدام IC / الجزء:
معيار
المعايير:
معيار
الأسلوب:
معيار
نوع الذاكرة:
المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:
المعيار
المقاومة (أوم):
معيار
إشارة الصليب:
المعيار
اسم المنتج:
K4G80325FB-HC28 K4G80325FB-HC25 K4G80325FB-HC03 GDDR5 بغا
الميناء:
شنتشن
رقم جزء الشركة المصنعة:
K4G80325FB-HC25
النوع:
الدائرة المتكاملة، منظم الجهد
الوصف:
شريحة IC لذاكرة الفيديو
الجهد - الانهيار:
الخامس
التردد - التبديل:
معيار
القوة (واط):
دبليو
درجة حرارة العمل:
c
نوع التثبيت:
سمت
الجهد - العرض (دقيقة):
الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):
الخامس
الجهد - الإخراج:
الخامس
التيار - الإخراج / القناة:
أ
التكرار:
هرتز
التطبيقات:
الاستشعار والأجهزة
نوع FET:
معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):
معيار
التيار - العرض:
معيار
الجهد - الإمدادات:
معيار
التردد - أقصى:
المعيار
أقصى القوة:
دبليو
التسامح:
K4G80325FB-HC25
الوظيفة:
K4G80325FB-HC25
توريد الجهد - داخلي:
K4G80325FB-HC25
التردد - القطع أو المركز:
معيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):
معيار
قوة معزولة:
معيار
الجهد - العزلة:
معيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:
معيار
الحالي - ذروة الانتاج:
المعيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):
المعيار
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):
K4G80325FB-HC25
مدخل نوع:
K4G80325FB-HC25
نوع الإخراج:
K4G80325FB-HC25
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):
معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):
معيار
الجهد - الخروج (ماكس):
معيار
الجهد - خارج الدولة:
معيار
ثابت dV / dt (دقيقة):
المعيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):
معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):
معيار
عائق:
معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:
معيار
تردد LO:
المعيار
تردد RF:
معيار
نطاق الإدخال:
معيار
الطاقة الخارجة:
دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):
معيار
المواصفات:
معيار
الحجم / البعد:
معيار
تعديل أو بروتوكول:
معيار
واجهة:
المعيار
مخرج قوي:
معيار
حجم الذاكرة:
المعيار
بروتوكول:
معيار
تعديل:
معيار
واجهات تسلسلية:
معيار
GPIO:
معيار
استخدام IC / الجزء:
معيار
المعايير:
معيار
الأسلوب:
معيار
نوع الذاكرة:
المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:
المعيار
المقاومة (أوم):
معيار
إشارة الصليب:
المعيار
اسم المنتج:
K4G80325FB-HC28 K4G80325FB-HC25 K4G80325FB-HC03 GDDR5 بغا
الميناء:
شنتشن
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد 0

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
DC22+
MOQ: 1pc
الحزمة: القياسية
مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.
نوع الرقائق لدينا



دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
وحدات مقارنة
مكشف - مكشف
أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد
مكبر
إعادة تعيين جهاز الكشف IC
مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء
شريحة الواجهة
شريحة بلوتوث
(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن
رقائق الاتصال بالساعة
IC الإرسال
IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة
شريحة التخزين 2
شريحة الايثرنت
الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد 1
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد 2
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد 3
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد 4
شنتشن الجديد الأصلي FBGA170 K4G80325FC-HC25 80325FB-HC28 K4G80325FB-HC22 رقاقة ذاكرة الفيديو 1G DDR5 عالية التردد 5

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

منتجات مماثلة
IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

IS42S16800F ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP Package

احصل على أفضل سعر
IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

IS41LV16100C Micron ISSI Samsung ISSI Ic الدوائر المتكاملة

احصل على أفضل سعر
K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

K4B4G1646E-BYMA Samsung DDR SDRAM Package FBGA-96 ROHS

احصل على أفضل سعر
IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

IS62WV51216BLL-55TLI Memory Ic Chip BOM MouseReel التعبئة والتغليف

احصل على أفضل سعر
MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

MT40A1G16KD-062E ميكرون ISSI سامسونج Ic رقاقة متكاملة VFBGA-63

احصل على أفضل سعر
PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT: P

احصل على أفضل سعر
IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر
ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

ترانزستور IGBT DIP 600V 120A 298W 60n60 SFD FGH60N60

احصل على أفضل سعر
المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر
المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

المكونات الإلكترونية المتكاملة الأصلية الجديدة

احصل على أفضل سعر
الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

الحلبة المتكاملة LT1963AEQ-3.3#PBF

احصل على أفضل سعر
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
المنتجات

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
الغرفة 2808-2809 ، Duhuixuan ، رقم 3018 ، شارع شينان ، مجتمع Huahang ، شارع Huaqiang North ، منطقة Futian ، Shenzhen
روابط سريعة
ملف الشركة جولة في المصنع مراقبة الجودة أخبار خريطة الموقع سياسة الخصوصية
الصين جودة جيدة المكونات الإلكترونية المرحلية المورد. حقوق الطبع والنشر © 2023-2025 electroniccomponentsics.com جميع الحقوق محفوظة