المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > شنتشن الدوائر المتكاملة TPS73201DRBR PJEQ QFN-8 المنظم الجهد المنخفض

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

شنتشن الدوائر المتكاملة TPS73201DRBR PJEQ QFN-8 المنظم الجهد المنخفض

Name: شنتشن الدوائر المتكاملة TPS73201DRBR PJEQ QFN-8 المنظم الجهد المنخفض
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: TPS73201DRBR بيجيك QFN-8
Price: 0.42 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: أنغولا

اسم العلامة التجارية: All

رقم الموديل: TPS73201DRBR بيجيك QFN-8

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $0.42 - $2.32/pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 100000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم الجزء:	TPS73201DRBR بيجيك QFN-8	الدفع:	باي بال \ تي تي \ ويسترن يونيون \ ضمان التجارة
النوع:	دارة متكاملة	الوصف:	انخفاض الجهد التسرب منظم IC رقاقة
الجهد - الانهيار:	الخامس	التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو	درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	سمت/ثت	الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس	الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ	التكرار:	هرتز
التطبيقات:	جهاز الكتروني	نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ	التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس	التردد - أقصى:	هرتز
أقصى القوة:	دبليو	التسامح:	معيار
الوظيفة:	الأجهزة الطبية وأجهزة الاستشعار	توريد الجهد - داخلي:	الخامس
التردد - القطع أو المركز:	هرتز	التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	أ
قوة معزولة:	المعيار	الجهد - العزلة:	الخامس
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	أ	الحالي - ذروة الانتاج:	أ
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	الخامس	الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	أ
مدخل نوع:	معيار	نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار	نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	المعيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار	الجهد - خارج الدولة:	الخامس
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار	الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	المعيار	عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار	تردد LO:	المعيار
تردد RF:	معيار	نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	معيار	نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار
المواصفات:	المعيار	الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	المعيار	واجهة:	معيار
مخرج قوي:	دبليو	حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	معيار	تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار	GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	المعيار	المعايير:	المعيار
الأسلوب:	معيار	نوع الذاكرة:	المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار	المقاومة (أوم):	معيار
إشارة الصليب:	معيار	الميناء:	شنتشن

رقم الجزء:	TPS73201DRBR بيجيك QFN-8
الدفع:	باي بال \ تي تي \ ويسترن يونيون \ ضمان التجارة
النوع:	دارة متكاملة
الوصف:	انخفاض الجهد التسرب منظم IC رقاقة
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	سمت/ثت
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز
التطبيقات:	جهاز الكتروني
نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز
أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	معيار
الوظيفة:	الأجهزة الطبية وأجهزة الاستشعار
توريد الجهد - داخلي:	الخامس
التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	أ
قوة معزولة:	المعيار
الجهد - العزلة:	الخامس
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	أ
الحالي - ذروة الانتاج:	أ
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	الخامس
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	أ
مدخل نوع:	معيار
نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	المعيار
الجهد - الخروج (ماكس):	معيار
الجهد - خارج الدولة:	الخامس
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	معيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	المعيار
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	المعيار
تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	معيار
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار
المواصفات:	المعيار
الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	معيار
مخرج قوي:	دبليو
حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	المعيار
المعايير:	المعيار
الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	المعيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار
المقاومة (أوم):	معيار
إشارة الصليب:	معيار
الميناء:	شنتشن

شنتشن الدوائر المتكاملة TPS73201DRBR PJEQ QFN-8 المنظم الجهد المنخفض

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

DC22+

MOQ: 1pc

الحزمة: القياسية

مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

شنتشن الدوائر المتكاملة TPS73201DRBR PJEQ QFN-8 المنظم الجهد المنخفض

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات