المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > الجودة العالية HUB CTLR USB 3.0 72QFN USB5537B5000AKZETR IC

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

الجودة العالية HUB CTLR USB 3.0 72QFN USB5537B5000AKZETR IC

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: ساموا الأمريكية

اسم العلامة التجارية: All

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 100 قطعة

الأسعار: $5.00 - $37.00/pieces

تفاصيل التغليف: بكرة أو أنبوب

القدرة على العرض: 100000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم جزء الشركة المصنعة:	USB5537B5000AKZETR إيك	النوع:	الدائرة المتكاملة، USB5537B5000AKZETR
الوصف:	72QFN USB5537B5000AKZETR إيك	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c	نوع التثبيت:	SMT
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس	التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز	التطبيقات:	USB5537B5000AKZETR إيك
نوع FET:	-	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ	الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز	أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	-	الوظيفة:	-
توريد الجهد - داخلي:	الخامس	التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	أ	قوة معزولة:	-
الجهد - العزلة:	الخامس	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	أ
الحالي - ذروة الانتاج:	أ	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	الخامس
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	أ	مدخل نوع:	-
نوع الإخراج:	-	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	-
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	-	الجهد - الخروج (ماكس):	الخامس
الجهد - خارج الدولة:	الخامس	ثابت dV / dt (دقيقة):	المعيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	أ	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	أ
عائق:	معيار	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	هرتز	تردد RF:	هرتز
نطاق الإدخال:	معيار	الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	هرتز	المواصفات:	المعيار
الحجم / البعد:	المعيار	تعديل أو بروتوكول:	معيار
واجهة:	المعيار	مخرج قوي:	دبليو
حجم الذاكرة:	معيار	بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار	واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	المعيار	استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار	الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	معيار	ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار
المقاومة (أوم):	أوم	إشارة الصليب:	معيار
الاسم:	CTLR USB 3.0 72QFN USB5537B5000AKZETR IC	الميناء:	شنتشن

رقم جزء الشركة المصنعة:	USB5537B5000AKZETR إيك
النوع:	الدائرة المتكاملة، USB5537B5000AKZETR
الوصف:	72QFN USB5537B5000AKZETR إيك
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	SMT
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز
التطبيقات:	USB5537B5000AKZETR إيك
نوع FET:	-
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز
أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	-
الوظيفة:	-
توريد الجهد - داخلي:	الخامس
التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	أ
قوة معزولة:	-
الجهد - العزلة:	الخامس
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	أ
الحالي - ذروة الانتاج:	أ
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	الخامس
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	أ
مدخل نوع:	-
نوع الإخراج:	-
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	-
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	-
الجهد - الخروج (ماكس):	الخامس
الجهد - خارج الدولة:	الخامس
ثابت dV / dt (دقيقة):	المعيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	أ
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	أ
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	هرتز
تردد RF:	هرتز
نطاق الإدخال:	معيار
الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	هرتز
المواصفات:	المعيار
الحجم / البعد:	المعيار
تعديل أو بروتوكول:	معيار
واجهة:	المعيار
مخرج قوي:	دبليو
حجم الذاكرة:	معيار
بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	المعيار
استخدام IC / الجزء:	معيار
المعايير:	معيار
الأسلوب:	معيار
نوع الذاكرة:	معيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	المعيار
المقاومة (أوم):	أوم
إشارة الصليب:	معيار
الاسم:	CTLR USB 3.0 72QFN USB5537B5000AKZETR IC
الميناء:	شنتشن

الجودة العالية HUB CTLR USB 3.0 72QFN USB5537B5000AKZETR IC

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

DC22+

MOQ: 1pc

الحزمة: القياسية

مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

الجودة العالية HUB CTLR USB 3.0 72QFN USB5537B5000AKZETR IC

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات