المنتجات

المنزل > المنتجات > ميكرون ISSI سامسونج > الدائرة المتكاملة TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR VQFNP56 Stabilizer Ic Chip

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

الدائرة المتكاملة TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR VQFNP56 Stabilizer Ic Chip

Name: الدائرة المتكاملة TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR VQFNP56 Stabilizer Ic Chip
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR
Price: 5.90 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: ALL

رقم الموديل: TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: خمسون قطعة

الأسعار: $2.90 - $10.50/pieces

تفاصيل التغليف: حزمة الحماية

القدرة على العرض: 60000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

وقت التنفيذ:	1-3 أيام عمل	الشحن عن طريق:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الـ MOQ:	50 جهاز كمبيوتر شخصى	الدفع:	باي بال \ تي تي \ ويسترن يونيون \ ضمان التجارة
الضمان:	90-180 يوما	الحالة:	العلامة التجارية Newand Original
العينة:	زودت	النوع:	دارة متكاملة
الوصف:	رقاقة اي سي المثبت	الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز	القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c	نوع التثبيت:	المعيار
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس	التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز	التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	معيار	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ	الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز	أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	المعيار	الوظيفة:	معيار
توريد الجهد - داخلي:	الخامس	التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	أ	قوة معزولة:	المعيار
الجهد - العزلة:	الخامس	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	أ
الحالي - ذروة الانتاج:	أ	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	الخامس
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	أ	مدخل نوع:	معيار
نوع الإخراج:	معيار	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار	الجهد - الخروج (ماكس):	المعيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار	ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	المعيار	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	المعيار
عائق:	معيار	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	معيار	تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	المعيار	الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار	المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار	تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	معيار	مخرج قوي:	معيار
حجم الذاكرة:	المعيار	بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار	واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	معيار	استخدام IC / الجزء:	المعيار
المعايير:	معيار	الأسلوب:	المعيار
نوع الذاكرة:	معيار	ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	معيار	إشارة الصليب:	معيار
الميناء:	شنتشن/شنغهاي/هونغ كونغ

وقت التنفيذ:	1-3 أيام عمل
الشحن عن طريق:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الـ MOQ:	50 جهاز كمبيوتر شخصى
الدفع:	باي بال \ تي تي \ ويسترن يونيون \ ضمان التجارة
الضمان:	90-180 يوما
الحالة:	العلامة التجارية Newand Original
العينة:	زودت
النوع:	دارة متكاملة
الوصف:	رقاقة اي سي المثبت
الجهد - الانهيار:	الخامس
التردد - التبديل:	هرتز
القوة (واط):	دبليو
درجة حرارة العمل:	c
نوع التثبيت:	المعيار
الجهد - العرض (دقيقة):	الخامس
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	الخامس
الجهد - الإخراج:	الخامس
التيار - الإخراج / القناة:	أ
التكرار:	هرتز
التطبيقات:	دارة متكاملة
نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	أ
التيار - العرض:	أ
الجهد - الإمدادات:	الخامس
التردد - أقصى:	هرتز
أقصى القوة:	دبليو
التسامح:	المعيار
الوظيفة:	معيار
توريد الجهد - داخلي:	الخامس
التردد - القطع أو المركز:	هرتز
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	أ
قوة معزولة:	المعيار
الجهد - العزلة:	الخامس
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	أ
الحالي - ذروة الانتاج:	أ
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	الخامس
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	أ
مدخل نوع:	معيار
نوع الإخراج:	معيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	معيار
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	معيار
الجهد - الخروج (ماكس):	المعيار
الجهد - خارج الدولة:	المعيار
ثابت dV / dt (دقيقة):	معيار
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	المعيار
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	المعيار
عائق:	معيار
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	معيار
تردد LO:	معيار
تردد RF:	معيار
نطاق الإدخال:	المعيار
الطاقة الخارجة:	دبليو
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	معيار
المواصفات:	معيار
الحجم / البعد:	معيار
تعديل أو بروتوكول:	المعيار
واجهة:	معيار
مخرج قوي:	معيار
حجم الذاكرة:	المعيار
بروتوكول:	معيار
تعديل:	معيار
واجهات تسلسلية:	معيار
GPIO:	معيار
استخدام IC / الجزء:	المعيار
المعايير:	معيار
الأسلوب:	المعيار
نوع الذاكرة:	معيار
ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار
المقاومة (أوم):	معيار
إشارة الصليب:	معيار
الميناء:	شنتشن/شنغهاي/هونغ كونغ

الدائرة المتكاملة TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR VQFNP56 Stabilizer Ic Chip

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

مرحباً بكم في شركتنا! نحن مصدرك الشامل للمكونات الإلكترونية (BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتك المتنوعة. نقدم: - أشباه الموصلات: المتحكمات الدقيقة، الترانزستورات، الثنائيات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحاثات، الموصلات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيح، المرحلات، مشغلات الاستشعار - إمدادات الطاقة: منظمات الجهد، محولات الطاقة، إدارة البطارية - الإلكترونيات الضوئية: مصابيح LED، الليزر، الثنائيات الضوئية، المستشعرات البصرية - مكونات الترددات اللاسلكية واللاسلكية: وحدات الترددات اللاسلكية، الهوائيات، الاتصالات اللاسلكية - المستشعرات: مستشعرات درجة الحرارة، مستشعرات الحركة، المستشعرات البيئية.

النوع: دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

تيار مستمر: 22+

الحد الأدنى لكمية الطلب: 1 قطعة

العبوة: قياسي

نطاق الرقائق الوظيفية واسع ويغطي العديد من مجالات التطبيقات المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور والتحكم في المستشعرات ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة والمزيد.

أنواع الرقائق المتوفرة لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	دوائر IC للمقارنة	مشفر/فك تشفير	دوائر IC تعمل باللمس
دوائر IC مرجعية للجهد	مضخم صوت	كاشف إعادة الضبط IC	دوائر IC لمضخم الطاقة
دوائر IC لمعالجة الأشعة تحت الحمراء	شريحة واجهة	شريحة بلوتوث	رقائق تعزيز وخفض الجهد
رقائق قاعدة زمنية	رقائق اتصالات الساعة	دوائر IC للإرسال والاستقبال	دوائر IC للترددات اللاسلكية اللاسلكية
مقاوم شريحة	شريحة تخزين 2	شريحة إيثرنت	دوائر متكاملة مكونات إلكترونية

Tags:

IC الأصلي ترانزستور Mosfet 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 زوج الصوت 2sa 1943 sc5200 5200 في المخزون ترانزستور ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

الدائرة المتكاملة TPS65941111RWERQ1 TPS65930A2ZCH TPS65910AA1RSLR VQFNP56 Stabilizer Ic Chip

شركة شنتشن تشينغفيان للتكنولوجيا المحدودة

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,شريحة متكاملة IC VFBGA-63,Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT,

Ic Integrated Chip VFBGA-63,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات