المنتجات

المنزل > المنتجات > فيشاي IC > (المكونات الإلكترونية IC رقائق IC الدوائر المتكاملة) SI2301CDS-T1-GE3

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1488)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(459)

المقاومات والمكثفات

(3013)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Abby

الهاتف: 86-130-4904-4451

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

(المكونات الإلكترونية IC رقائق IC الدوائر المتكاملة) SI2301CDS-T1-GE3

تفاصيل المنتج

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $3.45/pieces 10-99 pieces

تفاصيل التغليف: The goods will be packed in carton which wrapped all by adhesive tape. سيتم تعبئة البضائع

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

السلسلة:

SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3

الوصف:

SI2301CDS-T1-GE3

رقم جزء الشركة المصنعة:

SI2301CDS-T1-GE3

النوع:

متحكم

المصنع:

في شاي

كود تاريخ التصنيع:

TSSOP-20

نوع الوحدة / اللوحة:

معيار

المعالج الأساسي:

قياسي، ARMR Cor texR-M4

معالج مشارك:

معيار

السرعة:

معيار

حجم الفلاش:

معيار

حجم ذاكرة الوصول العشوائي:

معيار

نوع الموصل:

معيار

الحجم / البعد:

معيار

التعبئة والتغليف:

معيار

الاتصال:

كانبوس، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، CANbus، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، I2C، IrDA، LINbus، SPI، UART/USART

ملحقات:

معيار

عدد I / O:

معيار

حجم ذاكرة البرنامج:

معيار

نوع ذاكرة البرنامج:

معيار

حجم إيبروم:

معيار

الجهد - العرض (Vcc / Vdd):

معيار

محولات البيانات:

معيار

نوع المذبذب:

معيار

سلسلة تحكم:

معيار

واجهة:

معيار

الجهد - الإمدادات:

معيار

الحزمة / الحقيبة:

معيار

عدد النوى / عرض الحافلة:

معيار

تسريع الرسومات:

معيار

وحدات تحكم العرض والواجهة:

معيار

USB:

معيار

الجهد - I / O:

معيار

إشارة الصليب:

معيار

التطبيق:

في شاي

حجم اللب:

اسألني

نوع المنتج:

المحركات / الحركة / أجهزة التحكم في الإشعال والسائقين

تكرار:

168 ميجا هرتز

حالة دورة الحياة:

نشط (آخر تحديث: منذ 7 أشهر)

نوع التثبيت:

جبل السطح

الشحن عن طريق:

DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post

الضمان:

سنة واحدة

الميناء:

شنتشين

السلسلة:

SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3

الوصف:

SI2301CDS-T1-GE3

رقم جزء الشركة المصنعة:

SI2301CDS-T1-GE3

النوع:

متحكم

المصنع:

في شاي

كود تاريخ التصنيع:

TSSOP-20

نوع الوحدة / اللوحة:

معيار

المعالج الأساسي:

قياسي، ARMR Cor texR-M4

معالج مشارك:

معيار

السرعة:

معيار

حجم الفلاش:

معيار

حجم ذاكرة الوصول العشوائي:

معيار

نوع الموصل:

معيار

الحجم / البعد:

معيار

التعبئة والتغليف:

معيار

الاتصال:

كانبوس، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، CANbus، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، I2C، IrDA، LINbus، SPI، UART/USART

ملحقات:

معيار

عدد I / O:

معيار

حجم ذاكرة البرنامج:

معيار

نوع ذاكرة البرنامج:

معيار

حجم إيبروم:

معيار

الجهد - العرض (Vcc / Vdd):

معيار

محولات البيانات:

معيار

نوع المذبذب:

معيار

سلسلة تحكم:

معيار

واجهة:

معيار

الجهد - الإمدادات:

معيار

الحزمة / الحقيبة:

معيار

عدد النوى / عرض الحافلة:

معيار

تسريع الرسومات:

معيار

وحدات تحكم العرض والواجهة:

معيار

USB:

معيار

الجهد - I / O:

معيار

إشارة الصليب:

معيار

التطبيق:

في شاي

حجم اللب:

اسألني

نوع المنتج:

المحركات / الحركة / أجهزة التحكم في الإشعال والسائقين

تكرار:

168 ميجا هرتز

حالة دورة الحياة:

نشط (آخر تحديث: منذ 7 أشهر)

نوع التثبيت:

جبل السطح

الشحن عن طريق:

DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post

الضمان:

سنة واحدة

الميناء:

شنتشين

(المكونات الإلكترونية IC رقائق IC الدوائر المتكاملة) SI2301CDS-T1-GE3

معايير المنتج

MT41K256M16TW-107 IT:P
رقم الجزء الرقمي
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - الشريط والرول (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - شريط قطع (CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - ديجي ريل®
المصنع
فيشاي سيلكونيكس
رقم المنتج المصنع
SI2301CDS-T1-GE3
الوصف
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
وقت التنفيذ القياسي للمصنع
99 أسبوع
وصف مفصل
قناة P 20 فولت 3.1A (Tc) 860mW (Ta) ، 1.6W (Tc) سطح الصعود SOT-23-3 (TO-236)

المصنع:
فيشاي
فئة المنتج:
MOSFET
RoHS:
تفاصيل
التكنولوجيا
نعم
أسلوب التثبيت:
SMD/SMT
العبوة / الحقيبه:
SOT-23-3
قطبية الترانزستور:
قناة بي
عدد القنوات:
قناة 1
Vds - فولتاج انقطاع مصدر الصرف:
20 فولت
Id - تيار التفريغ المستمر:
3.1 أ
Rds على - مقاومة مصدر الصرف:
112 ميليومتر
Vgs - فولتاج مصدر البوابة:
- 8 فولت، + 8 فولت
Vgs th - عتبة عجلة من مصدر البوابة:
1 فولت
Qg - شحنة البوابة:
3.3 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة العمل:
- 55 سي
درجة حرارة العمل القصوى:
+ 150 C
Pd - تشتيت الطاقة:
1.6 واط
وضع القناة:
تعزيز
الاسم التجاري:
TrenchFET
سلسلة:
SI2
العبوة:
ريل
العبوة:
قطع شريط
العبوة:
(ماوس ريل)
العلامة التجارية:
فيشاي أشباه الموصلات
التكوين:
العازب
وقت الخريف:
10 ns
نوع المنتج:
MOSFET
وقت الصعود:
35 ثانية
كمية عبوة المصنع:
3000
الفئة الفرعية:
MOSFETs
نوع الترانزستور:
1 قناة P
الوقت المعتاد للتأخير في إيقاف التشغيل:
30 ثانية
وقت تأخير التشغيل النموذجي:
11 ن
الجزء # الأسماء المستعارة:
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
وزن الوحدة:
0.000282 أوقية

فوائدنا

ملف الشركة

أوصي بالمنتجات

تقنية التصنيع

الأسئلة الشائعة

الأسئلة الشائعة
السؤال1:عن اقتباسات إيك بوم؟
A1:الشركة لديها قنوات الشراء من الشركات المصنعة للدوائر المتكاملة الأصلية في الداخل والخارج وفريق تحليل حلول المنتجات المهنية لاختيار عالية الجودة،مكونات إلكترونية منخفضة التكلفة للعملاء.السؤال2:اقتباس لحلول PCB و PCBA؟
ج2: سيقوم الفريق المهني للشركة بتحليل نطاق تطبيق حلول PCB و PCBA المقدمة من قبل العميل ومتطلبات المعلمات لكل مكون إلكتروني ،وفي نهاية المطاف توفير العملاء مع حلول عالية الجودة ومنخفضة التكلفة الاقتباس.
السؤال 3: عن تصميم الشريحة إلى المنتج النهائي؟
ج3: لدينا مجموعة كاملة من تصميم الوافرات، وإنتاج الوافرات، واختبار الوافرات، وتغليف ودمج IC، وخدمات فحص منتجات IC.
س4: هل شركتنا لديها الحد الأدنى للكميات الطلبية (MOQ) متطلبات؟
A4: لا، ليس لدينا متطلبات MOQ، يمكننا دعم مشاريعك بدءا من النماذج الأولية إلى الإنتاج الضخم.
السؤال5:كيف نضمن عدم تسريب معلومات العملاء؟
ج5: نحن على استعداد لتوقيع اتفاقية عدم التواصل بموجب القانون المحلي من جانب العملاء ونتعهد بالحفاظ على بيانات العملاء على مستوى سرية عالية.

Tags:

SI2302ADS-T1-E3 Vishay IC,

MOSFET-TC4424AVOA713 Vishay IC,

Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI

منتجات مماثلة

فيديو

S525T-GS08 VISHAY IC Surface Mount SOT-223 S525T RF MOSFET الترانزستورات

احصل على أفضل سعر

فيديو

IRFL014TRPBF Vishay IC المكونات الإلكترونية سطح جبل SOT-223 IRFL014

احصل على أفضل سعر

فيديو

الدوائر المتكاملة Vishay IC Vishay MOSFET-TC4424AVOA713

احصل على أفضل سعر

فيديو

VISHAY GSOT05C-E3-08 المكونات الإلكترونية رقائق Ic SMD / SMT تصاعد

احصل على أفضل سعر

فيديو

الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM

احصل على أفضل سعر

Si9953ADY-T1-GE3 Si9953ADY-T1-GE3 Vishay IC VSSAF512-M3/H

احصل على أفضل سعر

الدوائر المتكاملة Si9953DY-T1-E3 MOSFET Vi-Shay VSSAF56-M3/6A

احصل على أفضل سعر

Si9953DY-T1-GE3 Vishay IC VSSAF5M10HM3/H الدوائر المتكاملة MOSFET

احصل على أفضل سعر

الدوائر المتكاملة SIHFL014TR-GE3 Vi-Shay VSSAF5M10-M3/I MOSFET N-CHANNEL 60V

احصل على أفضل سعر

SQ4410EY-T1-E3 Vi-Shay VSSAF5M12HM3/H N-Channel MOSFET IC 30 فولت 15A

احصل على أفضل سعر

SQ4410EY-T1-GE3 السيارات N-قناة MOSFET 30V 15A Vi-Shay VSSAF5M12-M3/H سطح مثبت

احصل على أفضل سعر

السلسلة:	SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3	الوصف:	SI2301CDS-T1-GE3
رقم جزء الشركة المصنعة:	SI2301CDS-T1-GE3	النوع:	متحكم
المصنع:	في شاي	كود تاريخ التصنيع:	TSSOP-20
نوع الوحدة / اللوحة:	معيار	المعالج الأساسي:	قياسي، ARMR Cor texR-M4
معالج مشارك:	معيار	السرعة:	معيار
حجم الفلاش:	معيار	حجم ذاكرة الوصول العشوائي:	معيار
نوع الموصل:	معيار	الحجم / البعد:	معيار
التعبئة والتغليف:	معيار	الاتصال:	كانبوس، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، CANbus، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، I2C، IrDA، LINbus، SPI، UART/USART
ملحقات:	معيار	عدد I / O:	معيار
حجم ذاكرة البرنامج:	معيار	نوع ذاكرة البرنامج:	معيار
حجم إيبروم:	معيار	الجهد - العرض (Vcc / Vdd):	معيار
محولات البيانات:	معيار	نوع المذبذب:	معيار
سلسلة تحكم:	معيار	واجهة:	معيار
الجهد - الإمدادات:	معيار	الحزمة / الحقيبة:	معيار
عدد النوى / عرض الحافلة:	معيار	تسريع الرسومات:	معيار
وحدات تحكم العرض والواجهة:	معيار	USB:	معيار
الجهد - I / O:	معيار	إشارة الصليب:	معيار
التطبيق:	في شاي	حجم اللب:	اسألني
نوع المنتج:	المحركات / الحركة / أجهزة التحكم في الإشعال والسائقين	تكرار:	168 ميجا هرتز
حالة دورة الحياة:	نشط (آخر تحديث: منذ 7 أشهر)	نوع التثبيت:	جبل السطح
الشحن عن طريق:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post	الضمان:	سنة واحدة
الميناء:	شنتشين

المصنع:	فيشاي
فئة المنتج:	MOSFET
RoHS:	تفاصيل
التكنولوجيا	نعم
أسلوب التثبيت:	SMD/SMT
العبوة / الحقيبه:	SOT-23-3
قطبية الترانزستور:	قناة بي
عدد القنوات:	قناة 1
Vds - فولتاج انقطاع مصدر الصرف:	20 فولت
Id - تيار التفريغ المستمر:	3.1 أ
Rds على - مقاومة مصدر الصرف:	112 ميليومتر
Vgs - فولتاج مصدر البوابة:	- 8 فولت، + 8 فولت
Vgs th - عتبة عجلة من مصدر البوابة:	1 فولت
Qg - شحنة البوابة:	3.3 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة العمل:	- 55 سي
درجة حرارة العمل القصوى:	+ 150 C
Pd - تشتيت الطاقة:	1.6 واط
وضع القناة:	تعزيز
الاسم التجاري:	TrenchFET
سلسلة:	SI2
العبوة:	ريل
العبوة:	قطع شريط
العبوة:	(ماوس ريل)
العلامة التجارية:	فيشاي أشباه الموصلات
التكوين:	العازب
وقت الخريف:	10 ns
نوع المنتج:	MOSFET
وقت الصعود:	35 ثانية
كمية عبوة المصنع:	3000
الفئة الفرعية:	MOSFETs
نوع الترانزستور:	1 قناة P
الوقت المعتاد للتأخير في إيقاف التشغيل:	30 ثانية
وقت تأخير التشغيل النموذجي:	11 ن
الجزء # الأسماء المستعارة:	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
وزن الوحدة:	0.000282 أوقية

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

متحكم MCU

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

(المكونات الإلكترونية IC رقائق IC الدوائر المتكاملة) SI2301CDS-T1-GE3

الأسئلة الشائعة

SI2302ADS-T1-E3 Vishay IC,

MOSFET-TC4424AVOA713 Vishay IC,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات