Name: الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: SI2301CDS-T1-GE3
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: الولايات المتحدة الأمريكية

اسم العلامة التجارية: VISHAY

رقم الموديل: SI2301CDS-T1-GE3

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 1

الأسعار: 0.98-5.68/PC

تفاصيل التغليف: ستاندراد

شروط الدفع: D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام

القدرة على العرض: 10000 جهاز كمبيوتر شخصى في الأسبوع

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                الأسهم Vishay IC, رقاقة ذاكرة Ic IS62WV51216BLL-55TLI, رقاقة ذاكرة Ic BOM
                              

فئة المنتج:	فيشاي	مسلسل:	SI2301CDS-T1-GE3
أسلوب التركيب:	SMD / SMT	العبوة / العلبة:	TQFP-64
جوهر:	AVR	حجم ذاكرة البرنامج:	16 كيلو بايت
عرض ناقل البيانات:	8 بت	قرار ADC:	10 بت
أقصى تردد على مدار الساعة:	16 ميجا هرتز	عدد I / Os:	54 I / O
حجم ذاكرة الوصول العشوائي للبيانات:	1 كيلو بايت	امدادات التيار الكهربائي - دقيقة:	1.8 فولت
امدادات التيار الكهربائي - ماكس:	5.5 فولت	الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:	- 40 ج
أقصى درجة حرارة للتشغيل:	+ 85 ج	التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	فيشاي	نوع ذاكرة الوصول العشوائي للبيانات:	SRAM
حجم ذاكرة الوصول العشوائي للبيانات:	512 ب

فئة المنتج:	فيشاي
مسلسل:	SI2301CDS-T1-GE3
أسلوب التركيب:	SMD / SMT
العبوة / العلبة:	TQFP-64
جوهر:	AVR
حجم ذاكرة البرنامج:	16 كيلو بايت
عرض ناقل البيانات:	8 بت
قرار ADC:	10 بت
أقصى تردد على مدار الساعة:	16 ميجا هرتز
عدد I / Os:	54 I / O
حجم ذاكرة الوصول العشوائي للبيانات:	1 كيلو بايت
امدادات التيار الكهربائي - دقيقة:	1.8 فولت
امدادات التيار الكهربائي - ماكس:	5.5 فولت
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:	- 40 ج
أقصى درجة حرارة للتشغيل:	+ 85 ج
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	فيشاي
نوع ذاكرة الوصول العشوائي للبيانات:	SRAM
حجم ذاكرة الوصول العشوائي للبيانات:	512 ب

الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM

مخزون IC (مكونات إلكترونية تدعم رقاقة ذاكرة IC BOM) IS62WV51216BLL-55TLI الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM 0

الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM 1

الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM 2

MT41K256M16TW-107 IT: ص

رقم جزء المفتاح الرقمي
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - شريط وبكرة (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - قص الشريط (CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
الصانع
فيشاي Siliconix
رقم منتج الشركة المصنعة
SI2301CDS-T1-GE3
وصف
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
وصف مفصل
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta) ، 1.6 وات (Tc) مثبت على السطح SOT-23-3 (TO-236)

	
			الصانع:

			فيشاي

			فئة المنتج:

			موسفيت

			بنفايات:

			تفاصيل

			تكنولوجيا:

			سي

			أسلوب التركيب:

			SMD / SMT

			الحزمة / الحالة:

			سوت 23-3

			قطبية الترانزستور:

			قناة ف

			عدد القنوات:

			1 قناة

			Vds - جهد انهيار مصدر الصرف:

			20 فولت

			المعرف - تيار التصريف المستمر:

			3.1 أ

			Rds On - مقاومة مصدر الصرف:

			112 مللي أوم

			Vgs - جهد مصدر البوابة:

			- 8 فولت ، +8 فولت

			Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:

			1 فولت

			Qg - رسوم البوابة:

			3.3 ن

			درجة حرارة التشغيل الدنيا:

			- 55 ج

			أقصى درجة حرارة للتشغيل:

			+ 150 درجة مئوية

			PD - تبديد الطاقة:

			1.6 واط

			وضع القناة:

			التعزيز

			اسم تجاري:

			ترينشفيت

			مسلسل:

			SI2

			التعبئة والتغليف:

			بكرة

			التعبئة والتغليف:

			قص الشريط

			التعبئة والتغليف:

			MouseReel

			ماركة:

			فيشاي أشباه الموصلات

			إعدادات:

			أعزب

			وقت السقوط:

			10 نانوثانية

			نوع المنتج:

			موسفيت

			وقت الشروق:

			35 نانوثانية

			كمية حزمة المصنع:

			3000

			تصنيف فرعي:

			الترانزستورات

			نوع الترانزستور:

			1 قناة ف

			وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي:

			30 نانوثانية

			وقت تأخير التشغيل المعتاد:

			11 نانوثانية

			الجزء # الأسماء المستعارة:

			SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3

			وحدة الوزن:

			0.000282 أوقية

 
التعليماتQ1: حول اقتباس IC BOM؟ج 1: تمتلك الشركة قنوات الشراء الخاصة بمصنعي الدوائر المتكاملة الأصليين في الداخل والخارج وفريق تحليل حلول المنتج المحترف لاختيار مكونات إلكترونية عالية الجودة ومنخفضة التكلفة للعملاء.
Q2: عرض أسعار لحلول PCB و PCBA؟ 
ج 2: سيقوم فريق الشركة المحترف بتحليل نطاق تطبيقات حلول PCB و PCBA التي يقدمها العميل ومتطلبات المعلمات لكل مكون إلكتروني ، وفي النهاية يزود العملاء بحلول أسعار عالية الجودة ومنخفضة التكلفة.
Q3: حول تصميم الرقاقة للمنتج النهائي؟
A3: لدينا مجموعة كاملة من تصميمات الرقائق ، إنتاج بسكويت الويفر ، اختبار الرقاقات ، تغليف وتكامل IC ، وخدمات فحص منتجات IC.
س 4: هل لدى شركتنا حد أدنى لكمية الطلب (موك)؟
A4: لا ، ليس لدينا متطلبات موك ، يمكننا دعم مشاريعك بدءًا من النماذج الأولية إلى الإنتاج الضخم.
س 5: كيف تضمن عدم تسريب معلومات العميل؟ 
ج 5: نحن على استعداد لتوقيع تأثير اتفاقية عدم الإفشاء بموجب القانون المحلي من جانب العميل ونعد بالحفاظ على بيانات العملاء في مستوى عالٍ من السرية.

Tags:

الصانع:	فيشاي
فئة المنتج:	موسفيت
بنفايات:	تفاصيل
تكنولوجيا:	سي
أسلوب التركيب:	SMD / SMT
الحزمة / الحالة:	سوت 23-3
قطبية الترانزستور:	قناة ف
عدد القنوات:	1 قناة
Vds - جهد انهيار مصدر الصرف:	20 فولت
المعرف - تيار التصريف المستمر:	3.1 أ
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:	112 مللي أوم
Vgs - جهد مصدر البوابة:	- 8 فولت ، +8 فولت
Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:	1 فولت
Qg - رسوم البوابة:	3.3 ن
درجة حرارة التشغيل الدنيا:	- 55 ج
أقصى درجة حرارة للتشغيل:	+ 150 درجة مئوية
PD - تبديد الطاقة:	1.6 واط
وضع القناة:	التعزيز
اسم تجاري:	ترينشفيت
مسلسل:	SI2
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قص الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	فيشاي أشباه الموصلات
إعدادات:	أعزب
وقت السقوط:	10 نانوثانية
نوع المنتج:	موسفيت
وقت الشروق:	35 نانوثانية
كمية حزمة المصنع:	3000
تصنيف فرعي:	الترانزستورات
نوع الترانزستور:	1 قناة ف
وقت تأخير إيقاف التشغيل النموذجي:	30 نانوثانية
وقت تأخير التشغيل المعتاد:	11 نانوثانية
الجزء # الأسماء المستعارة:	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
وحدة الوزن:	0.000282 أوقية

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

متحكم MCU

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

الأسهم Vishay IC Ic Memory Chip IS62WV51216BLL-55TLI دعم IC BOM