الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	100 ميكرو أمبير عند 1200 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.8 فولت @ 10 أمبير	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR)
مسلسل:	-	السعة @ Vr ، F:	640pf @ 0v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:	DPAK	وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	حلول ثنائيات SMC	تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	1200 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	10 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	سيكرد101200

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	100 ميكرو أمبير عند 1200 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.8 فولت @ 10 أمبير
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR)
مسلسل:	-
السعة @ Vr ، F:	640pf @ 0v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:	DPAK
وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	حلول ثنائيات SMC
تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	1200 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	10 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	سيكرد101200