الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	ليس من أجل التصاميم الجديدة
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1.6 Ma @ 650 V	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.8 V @ 9 a	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR)
مسلسل:	CoolSiC ™ +	السعة @ Vr ، F:	270pf @ 1v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:	PG-TO263-2	وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	تقنيات إنفينيون	تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-263-3 ، D²Pak (2 يؤدي + علامة تبويب) ، TO-263AB
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	650 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	9 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	IDK09G65

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	ليس من أجل التصاميم الجديدة
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1.6 Ma @ 650 V
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.8 V @ 9 a
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR)
مسلسل:	CoolSiC ™ +
السعة @ Vr ، F:	270pf @ 1v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:	PG-TO263-2
وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	تقنيات إنفينيون
تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-263-3 ، D²Pak (2 يؤدي + علامة تبويب) ، TO-263AB
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	650 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	9 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	IDK09G65