الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	آخر مرة شراء
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	60 ميكرو أمبير عند 650 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.7 فولت @ 10 أ	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	-	السعة @ Vr ، F:	328PF @ 1V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	5-DFN (8x8)	وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	WeEn أشباه الموصلات	تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	175 درجة مئوية (حد أقصى)	الحزمة / الحقيبة:	4-VSFN مكشوفة الوسادة
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	650 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	10 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	WNSC1

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	آخر مرة شراء
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	60 ميكرو أمبير عند 650 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.7 فولت @ 10 أ
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	-
السعة @ Vr ، F:	328PF @ 1V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	5-DFN (8x8)
وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	WeEn أشباه الموصلات
تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	175 درجة مئوية (حد أقصى)
الحزمة / الحقيبة:	4-VSFN مكشوفة الوسادة
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	650 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	10 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	WNSC1