logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

STPSC6H12B-TR1

تفاصيل المنتج

شروط الدفع والشحن

الوصف: Diode SIL Carbide 1.2kV 6A DPAK

احصل على أفضل سعر
إبراز:
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
400 μA @ 1200 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.9 V @ 6 a
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:
-
السعة @ Vr ، F:
330pf @ 0v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:
DPAK
وقت الاسترداد العكسي (trr):
0 نانوثانية
مفر:
STMيكروإلكترونيات
تكنولوجيا:
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
1200 فولت
الحالي - متوسط ​​المعدل (Io):
6A
السرعة:
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:
STPSC6
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
400 μA @ 1200 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.9 V @ 6 a
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:
-
السعة @ Vr ، F:
330pf @ 0v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:
DPAK
وقت الاسترداد العكسي (trr):
0 نانوثانية
مفر:
STMيكروإلكترونيات
تكنولوجيا:
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
1200 فولت
الحالي - متوسط ​​المعدل (Io):
6A
السرعة:
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:
STPSC6
STPSC6H12B-TR1
الديود 1200 V 6A سطح الجسر DPAK