الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	ليس من أجل التصاميم الجديدة
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	5 µA @ 3300 V	نوع التثبيت:	من خلال الثقب
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.7 V @ 300 Ma	الحزمة:	أنبوب
مسلسل:	SIC Schottky MPS ™	السعة @ Vr ، F:	42PF @ 1V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	TO-220FP	وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	جينيسيك أشباه الموصلات	تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-220-2 عبوة كاملة
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	3300 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	300 مللي أمبير
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	GAP3SLT33

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	ليس من أجل التصاميم الجديدة
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	5 µA @ 3300 V
نوع التثبيت:	من خلال الثقب
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.7 V @ 300 Ma
الحزمة:	أنبوب
مسلسل:	SIC Schottky MPS ™
السعة @ Vr ، F:	42PF @ 1V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	TO-220FP
وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	جينيسيك أشباه الموصلات
تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-220-2 عبوة كاملة
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	3300 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	300 مللي أمبير
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	GAP3SLT33