تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode Gen PURP 200V 582A Y4-M6
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
5 مللي أمبير @ 200 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل الهيكل |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.25 V @ 520 أ |
الحزمة: |
الحمولة |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
- |
حزمة أجهزة المورد: |
Y4-M6 |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
200 نانوثانية |
مفر: |
IXYS |
تكنولوجيا: |
معيار |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
Y4-M6 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
200 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
582أ |
السرعة: |
التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
MEO550 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
5 مللي أمبير @ 200 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل الهيكل |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.25 V @ 520 أ |
الحزمة: |
الحمولة |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
- |
حزمة أجهزة المورد: |
Y4-M6 |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
200 نانوثانية |
مفر: |
IXYS |
تكنولوجيا: |
معيار |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
Y4-M6 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
200 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
582أ |
السرعة: |
التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
MEO550 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
