تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode Gen PURP 80V 100MA S-MINI
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
500 غ @ 80 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.2 فولت @ 100 مللي أمبير |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل® |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
4pF @ 0V، 1MHz |
حزمة أجهزة المورد: |
S- ميني |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
4 نانوثانية |
مفر: |
توشيبا أشباه الموصلات والتخزين |
تكنولوجيا: |
معيار |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
125 درجة مئوية (حد أقصى) |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
80 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
100 مللي أمبير |
السرعة: |
إشارة صغيرة = |
رقم المنتج الأساسي: |
1SS187 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
500 غ @ 80 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.2 فولت @ 100 مللي أمبير |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل® |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
4pF @ 0V، 1MHz |
حزمة أجهزة المورد: |
S- ميني |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
4 نانوثانية |
مفر: |
توشيبا أشباه الموصلات والتخزين |
تكنولوجيا: |
معيار |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
125 درجة مئوية (حد أقصى) |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
80 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
100 مللي أمبير |
السرعة: |
إشارة صغيرة = |
رقم المنتج الأساسي: |
1SS187 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
