logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MSE07PDHM3/89A

تفاصيل المنتج

شروط الدفع والشحن

الوصف: DIODE GP 200V 700MA microSMP

احصل على أفضل سعر
إبراز:
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
1 ميكرو أمبير عند 200 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.08 V @ 700 Ma
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:
السيارات ، AEC-Q101
السعة @ Vr ، F:
-
حزمة أجهزة المورد:
ميكروسمب (DO-219AD)
وقت الاسترداد العكسي (trr):
780 نانو ثانية
مفر:
فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:
معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
ميكروسمب
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
200 فولت
الحالي - متوسط ​​المعدل (Io):
700 مللي أمبير
السرعة:
الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:
MSE07
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
1 ميكرو أمبير عند 200 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.08 V @ 700 Ma
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:
السيارات ، AEC-Q101
السعة @ Vr ، F:
-
حزمة أجهزة المورد:
ميكروسمب (DO-219AD)
وقت الاسترداد العكسي (trr):
780 نانو ثانية
مفر:
فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:
معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
ميكروسمب
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
200 فولت
الحالي - متوسط ​​المعدل (Io):
700 مللي أمبير
السرعة:
الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:
MSE07
MSE07PDHM3/89A
الديود 200 V 700mA سطح الجسر MicroSMP (DO-219AD)