logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

E4D02120E-TR

تفاصيل المنتج

شروط الدفع والشحن

الوصف: Diode SIL CARB 1.2kV 8a to252-2

احصل على أفضل سعر
إبراز:
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
50 µA @ 1200 V
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.8 V @ 2 a
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:
السيارات ، AEC-Q101
السعة @ Vr ، F:
153pf @ 0v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:
TO-252-2
مفر:
شركة وولف سبيد
تكنولوجيا:
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-2
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
1200 فولت
الحالي - متوسط ​​المعدل (Io):
8 أ
السرعة:
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:
نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:
50 µA @ 1200 V
نوع التثبيت:
جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:
1.8 V @ 2 a
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:
السيارات ، AEC-Q101
السعة @ Vr ، F:
153pf @ 0v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:
TO-252-2
مفر:
شركة وولف سبيد
تكنولوجيا:
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-2
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):
1200 فولت
الحالي - متوسط ​​المعدل (Io):
8 أ
السرعة:
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
E4D02120E-TR
الديود 1200 فولت 8 أيه سطح الصعود TO-252-2