تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode SIL CARB 650V 4A TO220AC
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
40 ميكرو أمبير عند 650 فولت |
نوع التثبيت: |
من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.7 V @ 4 أ |
الحزمة: |
أنبوب |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
146PF @ 1V ، 1MHz |
حزمة أجهزة المورد: |
TO-220AC |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
(بانجيت إنترناشيونال) |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-220-2 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
650 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
4 ا |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
PCDP0465 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
40 ميكرو أمبير عند 650 فولت |
نوع التثبيت: |
من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.7 V @ 4 أ |
الحزمة: |
أنبوب |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
146PF @ 1V ، 1MHz |
حزمة أجهزة المورد: |
TO-220AC |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
(بانجيت إنترناشيونال) |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-220-2 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
650 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
4 ا |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
PCDP0465 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
