الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	3 μA @ 200 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1 فولت @ 4 أ	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	فريد بت®	السعة @ Vr ، F:	-
حزمة أجهزة المورد:	SlimDPAK	وقت الاسترداد العكسي (trr):	25 نانوثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	200 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	4 ا
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	4EVH02

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	3 μA @ 200 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1 فولت @ 4 أ
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	فريد بت®
السعة @ Vr ، F:	-
حزمة أجهزة المورد:	SlimDPAK
وقت الاسترداد العكسي (trr):	25 نانوثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	200 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	4 ا
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	4EVH02