تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode Gen PURP 600V 3A DO221BC
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
5 μA @ 600 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.16 V @ 3 أ |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
مسلسل: |
eSMP® |
السعة @ Vr ، F: |
13pf @ 4v ، 1mhz |
حزمة أجهزة المورد: |
DO-221BC (SMPA) |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
1.3 µs |
مفر: |
فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات |
تكنولوجيا: |
معيار |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
DO-221BC، SMA لوحة مسطحة مكشوفة |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
600 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
3A |
السرعة: |
الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
SE30 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
5 μA @ 600 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.16 V @ 3 أ |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
مسلسل: |
eSMP® |
السعة @ Vr ، F: |
13pf @ 4v ، 1mhz |
حزمة أجهزة المورد: |
DO-221BC (SMPA) |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
1.3 µs |
مفر: |
فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات |
تكنولوجيا: |
معيار |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
DO-221BC، SMA لوحة مسطحة مكشوفة |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
600 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
3A |
السرعة: |
الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
SE30 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
