تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode Gen PURP 200V 1.5A DO219AB
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة | حالة المنتج: | نشط | الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 5 μA @ 200 فولت | نوع التثبيت: | جبل السطح | الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.05 فولت @ 1.5 أمبير | الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) | مسلسل: | السيارات ، AEC-Q101 | السعة @ Vr ، F: | 10.5pf @ 4v ، 1mhz | حزمة أجهزة المورد: | دو-219AB (SMF) | وقت الاسترداد العكسي (trr): | 900 نانوثانية | مفر: | فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات | تكنولوجيا: | معيار | درجة حرارة التشغيل - مفرق: | -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية | الحزمة / الحقيبة: | DO-219AB | الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): | 200 فولت | الحالي - متوسط المعدل (Io): | 1.5أ | السرعة: | الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io) | رقم المنتج الأساسي: | SE15 | 
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة | 
| حالة المنتج: | نشط | 
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 5 μA @ 200 فولت | 
| نوع التثبيت: | جبل السطح | 
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.05 فولت @ 1.5 أمبير | 
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) | 
| مسلسل: | السيارات ، AEC-Q101 | 
| السعة @ Vr ، F: | 10.5pf @ 4v ، 1mhz | 
| حزمة أجهزة المورد: | دو-219AB (SMF) | 
| وقت الاسترداد العكسي (trr): | 900 نانوثانية | 
| مفر: | فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات | 
| تكنولوجيا: | معيار | 
| درجة حرارة التشغيل - مفرق: | -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية | 
| الحزمة / الحقيبة: | DO-219AB | 
| الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): | 200 فولت | 
| الحالي - متوسط المعدل (Io): | 1.5أ | 
| السرعة: | الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io) | 
| رقم المنتج الأساسي: | SE15 |