الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	10 μA @ 1000 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	962 mV @ 2 a	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	eSMP®	السعة @ Vr ، F:	60pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	TO-277A (SMPC)	وقت الاسترداد العكسي (trr):	1.8 ميكروثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	انهيار ثلجي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-277، 3-PowerDFN
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	1000 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	2.4 أ
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)	رقم المنتج الأساسي:	AS4

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	10 μA @ 1000 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	962 mV @ 2 a
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	eSMP®
السعة @ Vr ، F:	60pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	TO-277A (SMPC)
وقت الاسترداد العكسي (trr):	1.8 ميكروثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	انهيار ثلجي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-277، 3-PowerDFN
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	1000 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	2.4 أ
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:	AS4