الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 ميكرو أمبير عند 200 فولت	نوع التثبيت:	من خلال الثقب
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1 فولت @ 3 A	الحزمة:	قص الشريط (CT) الشريط والصندوق (TB)
مسلسل:	-	السعة @ Vr ، F:	60pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	الاحمق-64	وقت الاسترداد العكسي (trr):	7.5 µs
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	انهيار ثلجي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	SOD-64 ، محوري
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	400 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	3A
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)	رقم المنتج الأساسي:	1N5625

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 ميكرو أمبير عند 200 فولت
نوع التثبيت:	من خلال الثقب
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1 فولت @ 3 A
الحزمة:	قص الشريط (CT) الشريط والصندوق (TB)
مسلسل:	-
السعة @ Vr ، F:	60pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	الاحمق-64
وقت الاسترداد العكسي (trr):	7.5 µs
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	انهيار ثلجي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	SOD-64 ، محوري
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	400 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	3A
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:	1N5625