تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: ديود SIL كربيد 650V 4A 4PQFN
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
200 µA @ 650 V |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.75 v @ 4 a |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل® |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
247pf @ 1v ، 100 كيلو هرتز |
حزمة أجهزة المورد: |
4-PQFN (8x8) |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
واحد |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
4-powertsfn |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
650 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
4 ا |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
FFSM0465 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
200 µA @ 650 V |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.75 v @ 4 a |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل® |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
247pf @ 1v ، 100 كيلو هرتز |
حزمة أجهزة المورد: |
4-PQFN (8x8) |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
واحد |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
4-powertsfn |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
650 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
4 ا |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
FFSM0465 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
