الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 ميكرو أمبير عند 200 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.05 فولت @ 2 أمبير	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	Automotive ، AEC-Q101 ، Fred PT®	السعة @ Vr ، F:	6pf @ 200v
حزمة أجهزة المورد:	ميكروسمب (DO-219AD)	وقت الاسترداد العكسي (trr):	23 نانوثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	ميكروسمب
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	200 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	2 أ
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	2EQH02

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 ميكرو أمبير عند 200 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.05 فولت @ 2 أمبير
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	Automotive ، AEC-Q101 ، Fred PT®
السعة @ Vr ، F:	6pf @ 200v
حزمة أجهزة المورد:	ميكروسمب (DO-219AD)
وقت الاسترداد العكسي (trr):	23 نانوثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	ميكروسمب
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	200 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	2 أ
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	2EQH02