الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	5 ميكرو أمبير عند 50 فولت	نوع التثبيت:	من خلال الثقب
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	900 مللي فولت @ 6 أ	الحزمة:	قص الشريط (CT) الشريط والصندوق (TB)
مسلسل:	-	السعة @ Vr ، F:	150pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	P600	وقت الاسترداد العكسي (trr):	2.5 ميكروثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-50 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	P600، محوري
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	50 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	6A
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)	رقم المنتج الأساسي:	GI750

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	5 ميكرو أمبير عند 50 فولت
نوع التثبيت:	من خلال الثقب
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	900 مللي فولت @ 6 أ
الحزمة:	قص الشريط (CT) الشريط والصندوق (TB)
مسلسل:	-
السعة @ Vr ، F:	150pF @ 4V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	P600
وقت الاسترداد العكسي (trr):	2.5 ميكروثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-50 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	P600، محوري
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	50 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	6A
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:	GI750