الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 µA @ 100 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.25 فولت @ 150 مللي أمبير	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	-	السعة @ Vr ، F:	0.36pF @ 0V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	DFN1006-2A	وقت الاسترداد العكسي (trr):	4 نانوثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	0402 (1006 متري)
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	100 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	250 مللي أمبير
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	BAS16

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 µA @ 100 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.25 فولت @ 150 مللي أمبير
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	-
السعة @ Vr ، F:	0.36pF @ 0V، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	DFN1006-2A
وقت الاسترداد العكسي (trr):	4 نانوثانية
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	0402 (1006 متري)
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	100 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	250 مللي أمبير
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	BAS16