الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	20 μA @ 100 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.15 v @ 12 a	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	eSMP®	السعة @ Vr ، F:	90PF @ 4V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	TO-263AC (SMPD)	وقت الاسترداد العكسي (trr):	3 قطع
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-263-3، متغير D²Pak (2 خيوط + علامة تبويب).
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	100 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	3.2أ
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)	رقم المنتج الأساسي:	SE12

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	20 μA @ 100 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.15 v @ 12 a
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	eSMP®
السعة @ Vr ، F:	90PF @ 4V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	TO-263AC (SMPD)
وقت الاسترداد العكسي (trr):	3 قطع
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-263-3، متغير D²Pak (2 خيوط + علامة تبويب).
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	100 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	3.2أ
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:	SE12