تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode SIL CARB 1.2KV 8A TO220-1
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
40 أمبير @ 1200 فولت |
نوع التثبيت: |
من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.95 v @ 8 a |
الحزمة: |
أنبوب |
مسلسل: |
CoolSiC ™ + |
السعة @ Vr ، F: |
365pF @ 1V ، 1 ميجا هرتز |
حزمة أجهزة المورد: |
PG-TO220-2-1 |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
تقنيات إنفينيون |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-220-2 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
1200 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
8 أ |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
IDH08G120 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
40 أمبير @ 1200 فولت |
نوع التثبيت: |
من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.95 v @ 8 a |
الحزمة: |
أنبوب |
مسلسل: |
CoolSiC ™ + |
السعة @ Vr ، F: |
365pF @ 1V ، 1 ميجا هرتز |
حزمة أجهزة المورد: |
PG-TO220-2-1 |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
تقنيات إنفينيون |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-220-2 |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
1200 فولت |
الحالي - متوسط المعدل (Io): |
8 أ |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
IDH08G120 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
