الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	90 µA @ 600 V	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	2.1 V @ 10 a	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	CoolSiC ™ +	السعة @ Vr ، F:	290PF @ 1V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	PG-TO252-3	وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	تقنيات إنفينيون	تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	600 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	10 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)	رقم المنتج الأساسي:	IDD10SG60

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	90 µA @ 600 V
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	2.1 V @ 10 a
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	CoolSiC ™ +
السعة @ Vr ، F:	290PF @ 1V ، 1MHz
حزمة أجهزة المورد:	PG-TO252-3
وقت الاسترداد العكسي (trr):	0 نانوثانية
مفر:	تقنيات إنفينيون
تكنولوجيا:	SiC (كربيد السيليكون) شوتكي
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	600 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	10 أ
السرعة:	لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io)
رقم المنتج الأساسي:	IDD10SG60