تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: Diode SIL Carbide 1.2kV to252aa
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
200 أمبير @ 1200 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.75 V @ 10 a |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل® |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
612pf @ 1v ، 100 كيلو هرتز |
حزمة أجهزة المورد: |
TO-252AA |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
واحد |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
1200 فولت |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63 |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
FFSD10120 |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
حالة المنتج: |
نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
200 أمبير @ 1200 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.75 V @ 10 a |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل® |
مسلسل: |
- |
السعة @ Vr ، F: |
612pf @ 1v ، 100 كيلو هرتز |
حزمة أجهزة المورد: |
TO-252AA |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
واحد |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
1200 فولت |
الحزمة / الحقيبة: |
TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63 |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
FFSD10120 |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
