الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	10 μA @ 1200 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.29 V @ 30 a	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	eSMP®	السعة @ Vr ، F:	132pf @ 4v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:	SMPD	وقت الاسترداد العكسي (trr):	3.4 µs
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات	تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	TO-263-3، متغير D²Pak (2 خيوط + علامة تبويب).
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	1200 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	30A
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)	رقم المنتج الأساسي:	SE30DT12

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة
حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	10 μA @ 1200 فولت
نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.29 V @ 30 a
الحزمة:	الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
مسلسل:	eSMP®
السعة @ Vr ، F:	132pf @ 4v ، 1mhz
حزمة أجهزة المورد:	SMPD
وقت الاسترداد العكسي (trr):	3.4 µs
مفر:	فيشاي جنرال سيمكوندكتور - قسم الديودات
تكنولوجيا:	معيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
الحزمة / الحقيبة:	TO-263-3، متغير D²Pak (2 خيوط + علامة تبويب).
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	1200 فولت
الحالي - متوسط المعدل (Io):	30A
السرعة:	الاسترداد القياسي> 500 نانوثانية ،> 200 مللي أمبير (Io)
رقم المنتج الأساسي:	SE30DT12