تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: PM-ديود-SIC-SBD-D1P
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة، الثنائيات، والمقومات، ومصفوفات الصمام الثنائي |
حالة المنتج: |
نشط |
التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): |
200 أ |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.8 فولت @ 200 أ |
الحزمة: |
صندوق |
مسلسل: |
- |
تكوين الصمام الثنائي: |
1 زوج الكاثود المشترك |
حزمة أجهزة المورد: |
D1P |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
تكنولوجيا الرقائق |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
الحزمة / الحقيبة: |
الوحدة |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
700 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل الهيكل |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
MSCDC200 |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
800 μA @ 700 فولت |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة، الثنائيات، والمقومات، ومصفوفات الصمام الثنائي |
حالة المنتج: |
نشط |
التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): |
200 أ |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.8 فولت @ 200 أ |
الحزمة: |
صندوق |
مسلسل: |
- |
تكوين الصمام الثنائي: |
1 زوج الكاثود المشترك |
حزمة أجهزة المورد: |
D1P |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
تكنولوجيا الرقائق |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
الحزمة / الحقيبة: |
الوحدة |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
700 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل الهيكل |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
MSCDC200 |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
800 μA @ 700 فولت |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
