تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: SIC SBD وحدة الطاقة الموازية 12
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة، الثنائيات، والمقومات، ومصفوفات الصمام الثنائي |
حالة المنتج: |
نشط |
التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): |
101a (DC) |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.7 V @ 50 a |
الحزمة: |
أنبوب |
مسلسل: |
- |
تكوين الصمام الثنائي: |
2 مستقل |
حزمة أجهزة المورد: |
سوت -227 |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
SemiQ |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
الحزمة / الحقيبة: |
SOT-227-4 ، miniBLOC |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
1200 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل الهيكل |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
GHXS050 |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
100 ميكرو أمبير عند 1200 فولت |
الفئة: |
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة، الثنائيات، والمقومات، ومصفوفات الصمام الثنائي |
حالة المنتج: |
نشط |
التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): |
101a (DC) |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: |
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: |
1.7 V @ 50 a |
الحزمة: |
أنبوب |
مسلسل: |
- |
تكوين الصمام الثنائي: |
2 مستقل |
حزمة أجهزة المورد: |
سوت -227 |
وقت الاسترداد العكسي (trr): |
0 نانوثانية |
مفر: |
SemiQ |
تكنولوجيا: |
SiC (كربيد السيليكون) شوتكي |
الحزمة / الحقيبة: |
SOT-227-4 ، miniBLOC |
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): |
1200 فولت |
نوع التثبيت: |
جبل الهيكل |
السرعة: |
لا يوجد وقت استرداد> 500mA (Io) |
رقم المنتج الأساسي: |
GHXS050 |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: |
100 ميكرو أمبير عند 1200 فولت |
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
