تفاصيل المنتج
مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين
اسم العلامة التجارية: Original
رقم الموديل: MT51J256M32HF-70: أ
شروط الدفع والشحن
الحد الأدنى لكمية: 10 قطع
الأسعار: $1.00/pieces 10-999 pieces
تفاصيل التغليف: الدوائر المتكاملة Allwinner الأكثر مبيعًا F1C100S F1C200S R11 S3L K210 X3 V3S
القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا
رقم الجزء: |
MT51J256M32HF-70: أ |
وقت التنفيذ: |
في المخزون |
الخدمة: |
توفير خدمة BOM وقفة واحدة |
الدفع: |
Paypal / TT / ضمان التجارة / بطاقة ائتمان |
النوع: |
دارة متكاملة |
الوصف: |
ذاكرة IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHz |
الجهد - الانهيار: |
مُثَبَّت |
التردد - التبديل: |
معيار |
القوة (واط): |
معيار |
درجة حرارة العمل: |
0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (TC)، قياسي |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - العرض (دقيقة): |
معيار |
الجهد - العرض (الحد الأقصى): |
معيار |
الجهد - الإخراج: |
معيار |
التيار - الإخراج / القناة: |
معيار |
التكرار: |
معيار |
التطبيقات: |
نشط |
نوع FET: |
- |
التيار - الناتج (الحد الأقصى): |
معيار |
التيار - العرض: |
معيار |
الجهد - الإمدادات: |
1.31 فولت ~ 1.39 فولت، 1.46 فولت ~ 1.55 فولت |
التردد - أقصى: |
معيار |
أقصى القوة: |
معيار |
التسامح: |
معيار |
الوظيفة: |
معيار |
توريد الجهد - داخلي: |
معيار |
التردد - القطع أو المركز: |
معيار |
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى): |
معيار |
قوة معزولة: |
معيار |
الجهد - العزلة: |
معيار |
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: |
معيار |
الحالي - ذروة الانتاج: |
معيار |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي): |
معيار |
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): |
معيار |
مدخل نوع: |
معيار |
نوع الإخراج: |
معيار |
نسبة التحويل الحالية (دقيقة): |
معيار |
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى): |
معيار |
الجهد - الخروج (ماكس): |
معيار |
الجهد - خارج الدولة: |
معيار |
ثابت dV / dt (دقيقة): |
معيار |
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى): |
معيار |
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): |
معيار |
عائق: |
معيار |
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة: |
معيار |
تردد LO: |
معيار |
تردد RF: |
معيار |
نطاق الإدخال: |
معيار |
الطاقة الخارجة: |
معيار |
نطاقات التردد (منخفضة / عالية): |
معيار |
المواصفات: |
معيار |
الحجم / البعد: |
معيار |
تعديل أو بروتوكول: |
معيار |
واجهة: |
معيار |
مخرج قوي: |
معيار |
حجم الذاكرة: |
معيار |
بروتوكول: |
معيار |
تعديل: |
معيار |
واجهات تسلسلية: |
معيار |
GPIO: |
معيار |
استخدام IC / الجزء: |
معيار |
المعايير: |
معيار |
الأسلوب: |
معيار |
نوع الذاكرة: |
معيار |
ذاكرة قابلة للكتابة: |
معيار |
المقاومة (أوم): |
معيار |
إشارة الصليب: |
معيار |
الميناء: |
شنتشن / هونج كونج |
رقم الجزء: |
MT51J256M32HF-70: أ |
وقت التنفيذ: |
في المخزون |
الخدمة: |
توفير خدمة BOM وقفة واحدة |
الدفع: |
Paypal / TT / ضمان التجارة / بطاقة ائتمان |
النوع: |
دارة متكاملة |
الوصف: |
ذاكرة IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHz |
الجهد - الانهيار: |
مُثَبَّت |
التردد - التبديل: |
معيار |
القوة (واط): |
معيار |
درجة حرارة العمل: |
0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (TC)، قياسي |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الجهد - العرض (دقيقة): |
معيار |
الجهد - العرض (الحد الأقصى): |
معيار |
الجهد - الإخراج: |
معيار |
التيار - الإخراج / القناة: |
معيار |
التكرار: |
معيار |
التطبيقات: |
نشط |
نوع FET: |
- |
التيار - الناتج (الحد الأقصى): |
معيار |
التيار - العرض: |
معيار |
الجهد - الإمدادات: |
1.31 فولت ~ 1.39 فولت، 1.46 فولت ~ 1.55 فولت |
التردد - أقصى: |
معيار |
أقصى القوة: |
معيار |
التسامح: |
معيار |
الوظيفة: |
معيار |
توريد الجهد - داخلي: |
معيار |
التردد - القطع أو المركز: |
معيار |
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى): |
معيار |
قوة معزولة: |
معيار |
الجهد - العزلة: |
معيار |
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: |
معيار |
الحالي - ذروة الانتاج: |
معيار |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي): |
معيار |
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): |
معيار |
مدخل نوع: |
معيار |
نوع الإخراج: |
معيار |
نسبة التحويل الحالية (دقيقة): |
معيار |
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى): |
معيار |
الجهد - الخروج (ماكس): |
معيار |
الجهد - خارج الدولة: |
معيار |
ثابت dV / dt (دقيقة): |
معيار |
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى): |
معيار |
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): |
معيار |
عائق: |
معيار |
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة: |
معيار |
تردد LO: |
معيار |
تردد RF: |
معيار |
نطاق الإدخال: |
معيار |
الطاقة الخارجة: |
معيار |
نطاقات التردد (منخفضة / عالية): |
معيار |
المواصفات: |
معيار |
الحجم / البعد: |
معيار |
تعديل أو بروتوكول: |
معيار |
واجهة: |
معيار |
مخرج قوي: |
معيار |
حجم الذاكرة: |
معيار |
بروتوكول: |
معيار |
تعديل: |
معيار |
واجهات تسلسلية: |
معيار |
GPIO: |
معيار |
استخدام IC / الجزء: |
معيار |
المعايير: |
معيار |
الأسلوب: |
معيار |
نوع الذاكرة: |
معيار |
ذاكرة قابلة للكتابة: |
معيار |
المقاومة (أوم): |
معيار |
إشارة الصليب: |
معيار |
الميناء: |
شنتشن / هونج كونج |
أشباه الموصلات | أجهزة التحكم الدقيقة | ترانزستورات | الديودات | الدوائر المتكاملة (ICs) |
المكونات السلبية | المقاومات | مكثفات | المحفزات | موصلات |
مكونات الكهروميكانيكية | مفاتيح | رلايات | جهاز استشعار | مكونات الراديو اللاسلكي |
أجهزة الألكترونيات | مصابيح LED | أجهزة استشعار بصرية | وحدة IGBT | منظمات الجهد |
نوع الرقائق لدينا | ||||||
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية | وحدات مقارنة | مكشف - مكشف | أجهزة التشغيل | |||
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد | مكبر | إعادة تعيين جهاز الكشف IC | مكبر الطاقة IC | |||
IC المعالجة تحت الحمراء | شريحة الواجهة | شريحة بلوتوث | (بوست) و (باك تشيبس) | |||
رقائق قاعدة الزمن | رقائق الاتصال بالساعة | IC الإرسال | IC RF اللاسلكي | |||
المقاومة الشريحة | شريحة التخزين 2 | شريحة الايثرنت | الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية | |||
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
