تفاصيل المنتج
مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين
اسم العلامة التجارية: Original
رقم الموديل: SN75HVD08DR
شروط الدفع والشحن
الحد الأدنى لكمية: 10 قطع
الأسعار: $2.00/pieces 10-999 pieces
تفاصيل التغليف: ESD / الفراغ / الرغوة / الكرتون
القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة في الأسبوع
رقم القطعة: |
SN75HVD08DR |
الحزمة / الحالة:: |
SOIC-8 |
مسلسل:: |
ماكس485 |
عدد المستقبلات:: |
1 ريسيفر |
عدد السائقين:: |
1 سائق |
معدل البيانات:: |
2.5 ميجا بايت / ثانية |
تيار العرض التشغيلي:: |
500 ش |
جهد العرض - الحد الأقصى:: |
5 فولت |
جهد العرض - الحد الأدنى:: |
5 فولت |
جهد إمداد التشغيل:: |
500 ش |
النوع: |
دارة متكاملة |
الوصف: |
- |
الجهد - الانهيار: |
- |
التردد - التبديل: |
- |
القوة (واط): |
- |
درجة حرارة العمل: |
- |
نوع التثبيت: |
- |
الجهد - العرض (دقيقة): |
- |
الجهد - العرض (الحد الأقصى): |
- |
الجهد - الإخراج: |
- |
التيار - الإخراج / القناة: |
- |
التكرار: |
- |
التطبيقات: |
هدف عام |
نوع FET: |
- |
التيار - الناتج (الحد الأقصى): |
- |
التيار - العرض: |
- |
الجهد - الإمدادات: |
- |
التردد - أقصى: |
- |
أقصى القوة: |
- |
التسامح: |
- |
الوظيفة: |
- |
توريد الجهد - داخلي: |
- |
التردد - القطع أو المركز: |
- |
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى): |
- |
قوة معزولة: |
- |
الجهد - العزلة: |
- |
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: |
- |
الحالي - ذروة الانتاج: |
- |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي): |
- |
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): |
- |
مدخل نوع: |
- |
نوع الإخراج: |
- |
نسبة التحويل الحالية (دقيقة): |
- |
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى): |
- |
الجهد - الخروج (ماكس): |
- |
الجهد - خارج الدولة: |
- |
ثابت dV / dt (دقيقة): |
- |
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى): |
- |
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): |
- |
معاوقة: |
- |
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة: |
- |
تردد LO: |
- |
تردد RF: |
- |
نطاق الإدخال: |
- |
الطاقة الخارجة: |
- |
نطاقات التردد (منخفضة / عالية): |
- |
المواصفات: |
- |
الحجم / البعد: |
- |
تعديل أو بروتوكول: |
- |
واجهة: |
- |
مخرج قوي: |
- |
حجم الذاكرة: |
- |
بروتوكول: |
- |
تعديل: |
- |
واجهات تسلسلية: |
- |
GPIO: |
- |
استخدام IC / الجزء: |
- |
المعايير: |
- |
الأسلوب: |
- |
نوع الذاكرة: |
- |
ذاكرة قابلة للكتابة: |
- |
المقاومة (أوم): |
- |
إشارة الصليب: |
- |
الميناء: |
شنتشن / هونغ كونغ |
رقم القطعة: |
SN75HVD08DR |
الحزمة / الحالة:: |
SOIC-8 |
مسلسل:: |
ماكس485 |
عدد المستقبلات:: |
1 ريسيفر |
عدد السائقين:: |
1 سائق |
معدل البيانات:: |
2.5 ميجا بايت / ثانية |
تيار العرض التشغيلي:: |
500 ش |
جهد العرض - الحد الأقصى:: |
5 فولت |
جهد العرض - الحد الأدنى:: |
5 فولت |
جهد إمداد التشغيل:: |
500 ش |
النوع: |
دارة متكاملة |
الوصف: |
- |
الجهد - الانهيار: |
- |
التردد - التبديل: |
- |
القوة (واط): |
- |
درجة حرارة العمل: |
- |
نوع التثبيت: |
- |
الجهد - العرض (دقيقة): |
- |
الجهد - العرض (الحد الأقصى): |
- |
الجهد - الإخراج: |
- |
التيار - الإخراج / القناة: |
- |
التكرار: |
- |
التطبيقات: |
هدف عام |
نوع FET: |
- |
التيار - الناتج (الحد الأقصى): |
- |
التيار - العرض: |
- |
الجهد - الإمدادات: |
- |
التردد - أقصى: |
- |
أقصى القوة: |
- |
التسامح: |
- |
الوظيفة: |
- |
توريد الجهد - داخلي: |
- |
التردد - القطع أو المركز: |
- |
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى): |
- |
قوة معزولة: |
- |
الجهد - العزلة: |
- |
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: |
- |
الحالي - ذروة الانتاج: |
- |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي): |
- |
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): |
- |
مدخل نوع: |
- |
نوع الإخراج: |
- |
نسبة التحويل الحالية (دقيقة): |
- |
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى): |
- |
الجهد - الخروج (ماكس): |
- |
الجهد - خارج الدولة: |
- |
ثابت dV / dt (دقيقة): |
- |
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى): |
- |
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): |
- |
معاوقة: |
- |
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة: |
- |
تردد LO: |
- |
تردد RF: |
- |
نطاق الإدخال: |
- |
الطاقة الخارجة: |
- |
نطاقات التردد (منخفضة / عالية): |
- |
المواصفات: |
- |
الحجم / البعد: |
- |
تعديل أو بروتوكول: |
- |
واجهة: |
- |
مخرج قوي: |
- |
حجم الذاكرة: |
- |
بروتوكول: |
- |
تعديل: |
- |
واجهات تسلسلية: |
- |
GPIO: |
- |
استخدام IC / الجزء: |
- |
المعايير: |
- |
الأسلوب: |
- |
نوع الذاكرة: |
- |
ذاكرة قابلة للكتابة: |
- |
المقاومة (أوم): |
- |
إشارة الصليب: |
- |
الميناء: |
شنتشن / هونغ كونغ |
أشباه الموصلات | أجهزة التحكم الدقيقة | ترانزستورات | الديودات | الدوائر المتكاملة (ICs) |
المكونات السلبية | المقاومات | مكثفات | المحفزات | موصلات |
مكونات الكهروميكانيكية | مفاتيح | رلايات | جهاز استشعار | مكونات الراديو اللاسلكي |
أجهزة الألكترونيات | مصابيح LED | أجهزة استشعار بصرية | وحدة IGBT | منظمات الجهد |
نوع الرقائق لدينا | ||||||
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية | وحدات مقارنة | مكشف - مكشف | أجهزة التشغيل | |||
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد | مكبر | إعادة تعيين جهاز الكشف IC | مكبر الطاقة IC | |||
IC المعالجة تحت الحمراء | شريحة الواجهة | شريحة بلوتوث | (بوست) و (باك تشيبس) | |||
رقائق قاعدة الزمن | رقائق الاتصال بالساعة | IC الإرسال | IC RF اللاسلكي | |||
المقاومة الشريحة | شريحة التخزين 2 | شريحة الايثرنت | الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية | |||
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
