إبراز:
التطبيق: |
مكونات إلكترونية |
وقت التسليم: |
3-6 أيام |
التعبئة: |
المعيار |
قسط: |
باي بال ؛ التحويل البنكي ؛ ضمان التجارة ، إلخ |
الشحن عن طريق: |
دي إتش إل، يو بي إس، فيديكس، تي ان تي ونظم الإدارة البيئية، SF اكسبريس |
درجة حرارة العمل: |
درجة الحرارة العادية، -40~85 |
النوع: |
دارة متكاملة |
الوصف: |
دارة متكاملة |
الجهد - الانهيار: |
/ |
التردد - التبديل: |
/ |
القوة (واط): |
/ |
نوع التثبيت: |
المعيار |
الجهد - العرض (دقيقة): |
المعيار |
الجهد - العرض (الحد الأقصى): |
/ |
الجهد - الإخراج: |
3 فولت |
التيار - الإخراج / القناة: |
/ |
التكرار: |
/ |
التطبيقات: |
IC |
نوع FET: |
المعيار |
التيار - الناتج (الحد الأقصى): |
/ |
التيار - العرض: |
/ |
الجهد - الإمدادات: |
2 فولت ~ 4 فولت |
التردد - أقصى: |
/ |
أقصى القوة: |
/ |
التسامح: |
/ |
الوظيفة: |
/ |
توريد الجهد - داخلي: |
/ |
التردد - القطع أو المركز: |
/ |
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى): |
/ |
قوة معزولة: |
- |
الجهد - العزلة: |
/ |
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض: |
/ |
الحالي - ذروة الانتاج: |
- |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي): |
/ |
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): |
/ |
مدخل نوع: |
المعيار |
نوع الإخراج: |
المعيار |
نسبة التحويل الحالية (دقيقة): |
/ |
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى): |
- |
الجهد - الخروج (ماكس): |
/ |
الجهد - خارج الدولة: |
/ |
ثابت dV / dt (دقيقة): |
- |
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى): |
/ |
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): |
/ |
معاوقة: |
/ |
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة: |
/ |
تردد LO: |
/ |
تردد RF: |
/ |
نطاق الإدخال: |
/ |
الطاقة الخارجة: |
/ |
نطاقات التردد (منخفضة / عالية): |
/ |
المواصفات: |
المعيار |
الحجم / البعد: |
/ |
تعديل أو بروتوكول: |
المعيار |
واجهة: |
/ |
مخرج قوي: |
- |
حجم الذاكرة: |
- |
بروتوكول: |
- |
تعديل: |
- |
واجهات تسلسلية: |
- |
GPIO: |
ورقة التاريخ |
استخدام IC / الجزء: |
- |
المعايير: |
المعيار |
الأسلوب: |
المعيار |
نوع الذاكرة: |
- |
ذاكرة قابلة للكتابة: |
- |
المقاومة (أوم): |
- |
إشارة الصليب: |
- |
الميناء: |
شنتشين |
NE555DR SOIC-8 قوة عالية الجودة الرقاقة الإلكترونية الأصلية الرقائق المجهرية NE555DR
يجب أن تكون رسالتك بين 20-3000 حرف!