المنتجات

المنزل > المنتجات > ROHM UTC ICS > الحلبة المتكاملة لميكروالمتحكم EPM570T100C5N QFP100

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

الحلبة المتكاملة لميكروالمتحكم EPM570T100C5N QFP100

Name: الحلبة المتكاملة لميكروالمتحكم EPM570T100C5N QFP100
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: EPM570T100C5N
Price: 1.00 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: original

رقم الموديل: EPM570T100C5N

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $1.00 - $1.50/pieces

تفاصيل التغليف: original packaging some part's price is unstable according to the market العبوة الأصلي

القدرة على العرض: 10000 قطعة/قطعة شهرياً

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

النوع:

دارة متكاملة

الوصف:

المعيار

الجهد - الانهيار:

معيار

التردد - التبديل:

معيار

القوة (واط):

معيار

درجة حرارة العمل:

معيار

نوع التثبيت:

معيار

الجهد - العرض (دقيقة):

المعيار

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

معيار

الجهد - الإخراج:

معيار

التيار - الإخراج / القناة:

المعيار

التكرار:

معيار

التطبيقات:

دارة متكاملة

نوع FET:

معيار

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

المعيار

التيار - العرض:

المعيار

الجهد - الإمدادات:

معيار

التردد - أقصى:

المعيار

أقصى القوة:

معيار

التسامح:

معيار

الوظيفة:

المعيار

توريد الجهد - داخلي:

معيار

التردد - القطع أو المركز:

/

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

/

قوة معزولة:

/

الجهد - العزلة:

/

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

/

الحالي - ذروة الانتاج:

/

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

/

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

/

مدخل نوع:

/

نوع الإخراج:

المعيار

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

/

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

/

الجهد - الخروج (ماكس):

/

الجهد - خارج الدولة:

/

ثابت dV / dt (دقيقة):

/

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

/

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

/

عائق:

/

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

/

تردد LO:

/

تردد RF:

/

نطاق الإدخال:

/

الطاقة الخارجة:

/

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

/

المواصفات:

معيار

الحجم / البعد:

المعيار

تعديل أو بروتوكول:

/

واجهة:

معيار

مخرج قوي:

معيار

حجم الذاكرة:

المعيار

بروتوكول:

معيار

تعديل:

المعيار

واجهات تسلسلية:

المعيار

GPIO:

المعيار

استخدام IC / الجزء:

معيار

المعايير:

/

الأسلوب:

المعيار

نوع الذاكرة:

/

ذاكرة قابلة للكتابة:

معيار

المقاومة (أوم):

المعيار

إشارة الصليب:

/

الميناء:

شنتشن

النوع:

دارة متكاملة

الوصف:

المعيار

الجهد - الانهيار:

معيار

التردد - التبديل:

معيار

القوة (واط):

معيار

درجة حرارة العمل:

معيار

نوع التثبيت:

معيار

الجهد - العرض (دقيقة):

المعيار

الجهد - العرض (الحد الأقصى):

معيار

الجهد - الإخراج:

معيار

التيار - الإخراج / القناة:

المعيار

التكرار:

معيار

التطبيقات:

دارة متكاملة

نوع FET:

معيار

التيار - الناتج (الحد الأقصى):

المعيار

التيار - العرض:

المعيار

الجهد - الإمدادات:

معيار

التردد - أقصى:

المعيار

أقصى القوة:

معيار

التسامح:

معيار

الوظيفة:

المعيار

توريد الجهد - داخلي:

معيار

التردد - القطع أو المركز:

/

التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):

/

قوة معزولة:

/

الجهد - العزلة:

/

الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:

/

الحالي - ذروة الانتاج:

/

الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):

/

الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):

/

مدخل نوع:

/

نوع الإخراج:

المعيار

نسبة التحويل الحالية (دقيقة):

/

نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):

/

الجهد - الخروج (ماكس):

/

الجهد - خارج الدولة:

/

ثابت dV / dt (دقيقة):

/

الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):

/

الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):

/

عائق:

/

المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:

/

تردد LO:

/

تردد RF:

/

نطاق الإدخال:

/

الطاقة الخارجة:

/

نطاقات التردد (منخفضة / عالية):

/

المواصفات:

معيار

الحجم / البعد:

المعيار

تعديل أو بروتوكول:

/

واجهة:

معيار

مخرج قوي:

معيار

حجم الذاكرة:

المعيار

بروتوكول:

معيار

تعديل:

المعيار

واجهات تسلسلية:

المعيار

GPIO:

المعيار

استخدام IC / الجزء:

معيار

المعايير:

/

الأسلوب:

المعيار

نوع الذاكرة:

/

ذاكرة قابلة للكتابة:

معيار

المقاومة (أوم):

المعيار

إشارة الصليب:

/

الميناء:

شنتشن

الحلبة المتكاملة لميكروالمتحكم EPM570T100C5N QFP100

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة
مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
DC22+
MOQ: 1pc
الحزمة: القياسية
مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا

دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
وحدات مقارنة
مكشف - مكشف
أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد
مكبر
إعادة تعيين جهاز الكشف IC
مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء
شريحة الواجهة
شريحة بلوتوث
(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن
رقائق الاتصال بالساعة
IC الإرسال
IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة
شريحة التخزين 2
شريحة الايثرنت
الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

ترانزستور ثنائي القطب ROHM UTC ICS,ROHM UTC ICS ترانزستور ثنائي القطب,ROHM UTC ICS SOT-89-3,

ROHM UTC ICS Transistor Bipolar,

ROHM UTC ICS SOT-89-3

منتجات مماثلة

SOT-89-3 Package ROHM UTC ICS 2SB1561 ترانزستور مفرق ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر

Bjt ثنائي القطب ROHM UTC ICS 2SB1580 T100 ROHS 2SB1424 120 ميجا هرتز

احصل على أفضل سعر

2SB1581 ROHM UTC ICS الترانزستور ثنائي القطب Bjt تكوين واحد

احصل على أفضل سعر

2SB1424 ROHM UTC ICS Simbol الترانزستور ثنائي القطب BJT ROHS 2SB1424 PNP منخفض VCE

احصل على أفضل سعر

IRFP90N20D ROHM UTC ICS الصمام الثنائي الترانزستور Bom Service SOT-89-3

احصل على أفضل سعر

ATECC608B-TNGACTS-G 8SOIC حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر

ATECC608B-TFLXTLSS-PROTO 8SOIC الحلقة المتكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر

806-0541-05 ANADYNE الحلقة المتكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر

MAX66242E/W+ حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر

MAX66300AETN+T IC POWER MANAGEMENT IC الدوائر المتكاملة في المخزون

احصل على أفضل سعر

QS72241-20RJ QS72241 - FIFO، 4KX9، 10NS حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر

النوع:	دارة متكاملة	الوصف:	المعيار
الجهد - الانهيار:	معيار	التردد - التبديل:	معيار
القوة (واط):	معيار	درجة حرارة العمل:	معيار
نوع التثبيت:	معيار	الجهد - العرض (دقيقة):	المعيار
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	معيار	الجهد - الإخراج:	معيار
التيار - الإخراج / القناة:	المعيار	التكرار:	معيار
التطبيقات:	دارة متكاملة	نوع FET:	معيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	المعيار	التيار - العرض:	المعيار
الجهد - الإمدادات:	معيار	التردد - أقصى:	المعيار
أقصى القوة:	معيار	التسامح:	معيار
الوظيفة:	المعيار	توريد الجهد - داخلي:	معيار
التردد - القطع أو المركز:	/	التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	/
قوة معزولة:	/	الجهد - العزلة:	/
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	/	الحالي - ذروة الانتاج:	/
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	/	الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	/
مدخل نوع:	/	نوع الإخراج:	المعيار
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	/	نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	/
الجهد - الخروج (ماكس):	/	الجهد - خارج الدولة:	/
ثابت dV / dt (دقيقة):	/	الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	/
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	/	عائق:	/
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	/	تردد LO:	/
تردد RF:	/	نطاق الإدخال:	/
الطاقة الخارجة:	/	نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	/
المواصفات:	معيار	الحجم / البعد:	المعيار
تعديل أو بروتوكول:	/	واجهة:	معيار
مخرج قوي:	معيار	حجم الذاكرة:	المعيار
بروتوكول:	معيار	تعديل:	المعيار
واجهات تسلسلية:	المعيار	GPIO:	المعيار
استخدام IC / الجزء:	معيار	المعايير:	/
الأسلوب:	المعيار	نوع الذاكرة:	/
ذاكرة قابلة للكتابة:	معيار	المقاومة (أوم):	المعيار
إشارة الصليب:	/	الميناء:	شنتشن

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

الحلبة المتكاملة لميكروالمتحكم EPM570T100C5N QFP100

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

ترانزستور ثنائي القطب ROHM UTC ICS,ROHM UTC ICS ترانزستور ثنائي القطب,ROHM UTC ICS SOT-89-3,

ROHM UTC ICS Transistor Bipolar,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات