المنتجات

المنزل > المنتجات > ROHM UTC ICS > IC Chip DRAM الأصلي الجديد 128MBIT PARALLEL 60TFBGA IS43LR16800 IS43LR16800G-6BL

الفئات

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)

الاتصالات

الاتصالات: Miss. Amy

الهاتف: 86-180-3344-1064

فاكس:

اتصل الآن

أرسل لنا

IC Chip DRAM الأصلي الجديد 128MBIT PARALLEL 60TFBGA IS43LR16800 IS43LR16800G-6BL

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: original

شروط الدفع والشحن

الأسعار: $5.00/pieces 1-99 pieces

تفاصيل التغليف: علبة

القدرة على العرض: 50000 قطعة / قطعة في الأسبوع

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز:

رقم جزء الشركة المصنعة:	IS43LR16800G-6BL	النوع:	دارة متكاملة
الوصف:	المعيار	الجهد - الانهيار:	المعيار
التردد - التبديل:	معيار	القوة (واط):	المعيار
درجة حرارة العمل:	-40°C ~ 85°C (TA)	نوع التثبيت:	المعيار
الجهد - العرض (دقيقة):	معيار	الجهد - العرض (الحد الأقصى):	معيار
الجهد - الإخراج:	المعيار	التيار - الإخراج / القناة:	معيار
التكرار:	معيار	التطبيقات:	-
نوع FET:	المعيار	التيار - الناتج (الحد الأقصى):	المعيار
التيار - العرض:	المعيار	الجهد - الإمدادات:	المعيار
التردد - أقصى:	المعيار	أقصى القوة:	معيار
التسامح:	المعيار	الوظيفة:	معيار
توريد الجهد - داخلي:	المعيار	التردد - القطع أو المركز:	المعيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	المعيار	قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	المعيار	الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	المعيار
الحالي - ذروة الانتاج:	المعيار	الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	/
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	/	مدخل نوع:	/
نوع الإخراج:	/	نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	/
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	/	الجهد - الخروج (ماكس):	/
الجهد - خارج الدولة:	/	ثابت dV / dt (دقيقة):	/
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	/	الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	/
عائق:	/	المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	/
تردد LO:	/	تردد RF:	/
نطاق الإدخال:	/	الطاقة الخارجة:	/
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	/	المواصفات:	/
الحجم / البعد:	/	تعديل أو بروتوكول:	/
واجهة:	/	مخرج قوي:	/
حجم الذاكرة:	/	بروتوكول:	/
تعديل:	/	واجهات تسلسلية:	/
GPIO:	/	استخدام IC / الجزء:	/
المعايير:	/	الأسلوب:	/
نوع الذاكرة:	/	ذاكرة قابلة للكتابة:	/
المقاومة (أوم):	/	إشارة الصليب:	/
الـ MOQ:	5	الميناء:	ميناء الصين الرئيسي، شنتشن، هونغ كونغ، شنغهاي، نينغبو، شيامن

رقم جزء الشركة المصنعة:	IS43LR16800G-6BL
النوع:	دارة متكاملة
الوصف:	المعيار
الجهد - الانهيار:	المعيار
التردد - التبديل:	معيار
القوة (واط):	المعيار
درجة حرارة العمل:	-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التثبيت:	المعيار
الجهد - العرض (دقيقة):	معيار
الجهد - العرض (الحد الأقصى):	معيار
الجهد - الإخراج:	المعيار
التيار - الإخراج / القناة:	معيار
التكرار:	معيار
التطبيقات:	-
نوع FET:	المعيار
التيار - الناتج (الحد الأقصى):	المعيار
التيار - العرض:	المعيار
الجهد - الإمدادات:	المعيار
التردد - أقصى:	المعيار
أقصى القوة:	معيار
التسامح:	المعيار
الوظيفة:	معيار
توريد الجهد - داخلي:	المعيار
التردد - القطع أو المركز:	المعيار
التيار - التسرب (IS (إيقاف)) (الحد الأقصى):	المعيار
قوة معزولة:	معيار
الجهد - العزلة:	المعيار
الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض:	المعيار
الحالي - ذروة الانتاج:	المعيار
الجهد - إلى الأمام (Vf) (نموذجي):	/
الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى):	/
مدخل نوع:	/
نوع الإخراج:	/
نسبة التحويل الحالية (دقيقة):	/
نسبة التحويل الحالية (حد أقصى):	/
الجهد - الخروج (ماكس):	/
الجهد - خارج الدولة:	/
ثابت dV / dt (دقيقة):	/
الحالي - LED Trigger (Ift) (الحد الأقصى):	/
الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى):	/
عائق:	/
المعاوقة - غير متوازنة / متوازنة:	/
تردد LO:	/
تردد RF:	/
نطاق الإدخال:	/
الطاقة الخارجة:	/
نطاقات التردد (منخفضة / عالية):	/
المواصفات:	/
الحجم / البعد:	/
تعديل أو بروتوكول:	/
واجهة:	/
مخرج قوي:	/
حجم الذاكرة:	/
بروتوكول:	/
تعديل:	/
واجهات تسلسلية:	/
GPIO:	/
استخدام IC / الجزء:	/
المعايير:	/
الأسلوب:	/
نوع الذاكرة:	/
ذاكرة قابلة للكتابة:	/
المقاومة (أوم):	/
إشارة الصليب:	/
الـ MOQ:	5
الميناء:	ميناء الصين الرئيسي، شنتشن، هونغ كونغ، شنغهاي، نينغبو، شيامن

IC Chip DRAM الأصلي الجديد 128MBIT PARALLEL 60TFBGA IS43LR16800 IS43LR16800G-6BL

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

DC22+

MOQ: 1pc

الحزمة: القياسية

مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.

نوع الرقائق لدينا
دوائر متكاملة مكونات إلكترونية	وحدات مقارنة	مكشف - مكشف	أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد	مكبر	إعادة تعيين جهاز الكشف IC	مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء	شريحة الواجهة	شريحة بلوتوث	(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن	رقائق الاتصال بالساعة	IC الإرسال	IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة	شريحة التخزين 2	شريحة الايثرنت	الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية

Tags:

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

فيشاي IC

مكونات Infineon الإلكترونية

الدوائر المتكاملة IC

AOS IC

مكونات اتميل الإلكترونية

ألتيرا تشيب

Xilinx IC

وحدة التحكم الدقيقة

ميكرون ISSI سامسونج

الترانزستور الصمام الثنائي

ROHM UTC ICS

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

المقاومات والمكثفات

IC Chip DRAM الأصلي الجديد 128MBIT PARALLEL 60TFBGA IS43LR16800 IS43LR16800G-6BL

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

ترانزستور ثنائي القطب ROHM UTC ICS,ROHM UTC ICS ترانزستور ثنائي القطب,ROHM UTC ICS SOT-89-3,

ROHM UTC ICS Transistor Bipolar,

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات