إبراز:
النوع: |
ترانزستور MOS، ترانزستور IGBT |
درجة حرارة العمل: |
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ) |
السلسلة: |
/ |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الوصف: |
/ |
د / ج: |
22+ |
نوع الحزمة: |
SOT-223-3 |
التطبيق: |
الثنائيات - المعدلات |
نوع المورد: |
آخر |
إشارة الصليب: |
المعيار |
الوسائط المتاحة: |
غيرها |
العلامة التجارية: |
موسفيت سوت-223-3 |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): |
, |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: |
, |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: |
, |
الحزمة / الحقيبة: |
سوت -223 |
المقاوم - القاعدة (R1): |
, |
المقاوم - قاعدة الباعث (R2): |
, |
ميزة FET: |
/ |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): |
, |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: |
, |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: |
, |
Vgs (th) (Max) @ Id: |
/ |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: |
, |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds: |
, |
التكرار: |
, |
التصنيف الحالي (أمبير): |
, |
الرقم الضوضاء: |
, |
مخرج قوي: |
, |
الجهد - تقييمه: |
, |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): |
4.5 فولت ، 10 فولت |
Vgs (ماكس): |
± 20 فولت |
نوع IGBT: |
, |
إعدادات: |
/ |
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: |
, |
سعة الإدخال (Cies) @ Vce: |
, |
المدخلات: |
, |
NTC الثرمستور: |
, |
الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): |
, |
الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): |
, |
الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: |
, |
الجهد - القطع (VGS off) @ Id: |
, |
المقاومة - RDS (تشغيل): |
, |
الجهد: |
, |
الجهد - الإخراج: |
, |
الجهد - الإزاحة (Vt): |
, |
التيار - بوابة تسرب الأنود (Igao): |
, |
الحالي - الوادي (الرابع): |
, |
الحالي - الذروة: |
, |
التطبيقات: |
, |
نوع الترانزستور: |
ترانزستور الطاقة mrf150 rf |
الميناء: |
شنتشين |
TSM950N10CW RPG MOS إدارة الطاقة IC رقائق Mosfet SOT-223-3 TSM950N10CW
يجب أن تكون رسالتك بين 20-3000 حرف!