إبراز:
النوع: |
JFET، ترانزستور التأثير الميداني، ترانزستور IGBT |
السلسلة: |
المعيار |
نوع التثبيت: |
المعيار |
الوصف: |
/ |
د / ج: |
, |
نوع الحزمة: |
ثرويد هول |
التطبيق: |
الثنائيات المعدل الانتعاش السريع |
نوع المورد: |
غيرها |
إشارة الصليب: |
معيار |
الوسائط المتاحة: |
غيرها |
العلامة التجارية: |
, |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): |
, |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: |
, |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: |
, |
المقاوم - القاعدة (R1): |
, |
المقاوم - قاعدة الباعث (R2): |
, |
ميزة FET: |
المعيار |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): |
, |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: |
, |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: |
, |
Vgs (th) (Max) @ Id: |
, |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: |
, |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds: |
, |
التكرار: |
, |
التصنيف الحالي (أمبير): |
, |
الرقم الضوضاء: |
, |
مخرج قوي: |
, |
الجهد - تقييمه: |
, |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): |
, |
Vgs (ماكس): |
, |
نوع IGBT: |
, |
إعدادات: |
المعيار |
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: |
, |
سعة الإدخال (Cies) @ Vce: |
, |
المدخلات: |
, |
NTC الثرمستور: |
, |
الجهد - الانهيار (V (BR) GSS): |
, |
الحالي - الصرف (Idss) @ Vds (Vgs = 0): |
, |
الصرف الحالي (المعرف) - ماكس: |
, |
الجهد - القطع (VGS off) @ Id: |
, |
المقاومة - RDS (تشغيل): |
, |
الجهد: |
, |
الجهد - الإخراج: |
, |
الجهد - الإزاحة (Vt): |
, |
التيار - بوابة تسرب الأنود (Igao): |
, |
الحالي - الوادي (الرابع): |
, |
الحالي - الذروة: |
, |
التطبيقات: |
, |
نوع الترانزستور: |
ترانزستور الطاقة mrf150 rf |
الميناء: |
شنتشين |
1000 فولت 1.1 فولت @ 1A (DO-214AC) ثنائيات Rohs - محررات ترانزستور GS1M ذات الغرض العام
يجب أن تكون رسالتك بين 20-3000 حرف!