logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
arabic
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
إقتباس
منزل
المنتجات
المكونات الإلكترونية المرحلية
ST ICS
RENESAS IC
ADI للأجهزة التناظرية
شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات
ON فيرتشايلد أشباه الموصلات
فريسكالي أشباه الموصلات
فيشاي IC
مكونات Infineon الإلكترونية
الدوائر المتكاملة IC
AOS IC
مكونات اتميل الإلكترونية
ألتيرا تشيب
Xilinx IC
وحدة التحكم الدقيقة
ميكرون ISSI سامسونج
الترانزستور الصمام الثنائي
ROHM UTC ICS
الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة
المقاومات والمكثفات
أشرطة فيديو
حول بنا
ملف الشركة
جولة في المصنع
مراقبة الجودة
اتصل بنا
الأحداث
أخبار
القضايا
اتصل بنا
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > ROHM UTC ICS > (الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
الفئات

المكونات الإلكترونية المرحلية

(57576)

ST ICS

(681)

RENESAS IC

(105)

ADI للأجهزة التناظرية

(996)

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

(1486)

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

(911)

فريسكالي أشباه الموصلات

(492)

فيشاي IC

(204)

مكونات Infineon الإلكترونية

(161)

الدوائر المتكاملة IC

(258)

AOS IC

(545)

مكونات اتميل الإلكترونية

(127)

ألتيرا تشيب

(178)

Xilinx IC

(167)

وحدة التحكم الدقيقة

(2099)

ميكرون ISSI سامسونج

(2837)

الترانزستور الصمام الثنائي

(2061)

ROHM UTC ICS

(2643)

الدائرة المتكاملة للرقاقة الدقيقة

(1076)

المقاومات والمكثفات

(3067)
الاتصالات
الاتصالات: Miss. Amy
الهاتف: 86-180-3344-1064
فاكس:
اتصل الآن
أرسل لنا
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة

(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: غوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية: standard

رقم الموديل: MT53B128M32D1NP-062 آت:أ

شروط الدفع والشحن

الأسعار: $1.19 - $25.89/pieces

تفاصيل التغليف: مربع

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة في الأسبوع

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج
إبراز:
نوع التغليف:
المعيار
الوظيفة:
المعيار
التطبيق:
المعيار
النوع:
المعيار
الحزمة / الحقيبة:
بغا
السلسلة:
المعيار
الخصائص:
المعيار
نوع التثبيت:
نوع التثبيت السطحي
الوصف:
ذاكرة الوصول العشوائي IC 4 جيجا بايت 1.6 جيجا هرتز 200WFBGA
كود تاريخ التصنيع:
المعيار
إشارة الصليب:
المعيار
كيمياء البطارية:
المعيار
الميناء:
ميناء شنتشن
نوع التغليف:
المعيار
الوظيفة:
المعيار
التطبيق:
المعيار
النوع:
المعيار
الحزمة / الحقيبة:
بغا
السلسلة:
المعيار
الخصائص:
المعيار
نوع التثبيت:
نوع التثبيت السطحي
الوصف:
ذاكرة الوصول العشوائي IC 4 جيجا بايت 1.6 جيجا هرتز 200WFBGA
كود تاريخ التصنيع:
المعيار
إشارة الصليب:
المعيار
كيمياء البطارية:
المعيار
الميناء:
ميناء شنتشن
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة

شركة شينزن تشينغفينغيوان للتكنولوجيا المحدودة

مرحبا بكم في شركتنا! نحن مصدركم الكامل للمكونات الإلكترونية ((BOM). تكمن خبرتنا في توفير مجموعة واسعة من المكونات الإلكترونية لتلبية متطلباتكم المتنوعة.نحن نقدم:- أشباه الموصلات: الميكروكيترولرز، الترانزستورات، الديودات، الدوائر المتكاملة (ICs) - المكونات السلبية: المقاومات، المكثفات، المحفزات، الموصات - المكونات الكهروميكانيكية: المفاتيحرلايات، أجهزة تشغيل أجهزة الاستشعار - مصادر الطاقة: منظمات الجهد ، محولات الطاقة ، إدارة البطارية - الألكترونيات الضوئية: LEDs ، الليزر ، ثنائي الأضواء ، أجهزة الاستشعار البصرية - RF والمواد اللاسلكية: وحدات RF,الهوائيات والاتصالات اللاسلكية - أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار درجة الحرارة وأجهزة استشعار الحركة وأجهزة استشعار البيئة.
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة 0

النوع: الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
DC22+
MOQ: 1pc
الحزمة: القياسية
مجموعة الرقائق الوظيفية واسعة وتغطي العديد من مجالات التطبيق المختلفة، مثل الاتصالات ومعالجة الصور ومراقبة أجهزة الاستشعار ومعالجة الصوت وإدارة الطاقة وغيرها.
نوع الرقائق لدينا



دوائر متكاملة مكونات إلكترونية
وحدات مقارنة
مكشف - مكشف
أجهزة التشغيل
وحدة التحكم المركزية المرجعية للجهد
مكبر
إعادة تعيين جهاز الكشف IC
مكبر الطاقة IC
IC المعالجة تحت الحمراء
شريحة الواجهة
شريحة بلوتوث
(بوست) و (باك تشيبس)
رقائق قاعدة الزمن
رقائق الاتصال بالساعة
IC الإرسال
IC RF اللاسلكي
المقاومة الشريحة
شريحة التخزين 2
شريحة الايثرنت
الدوائر المتكاملة المكونات الإلكترونية
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة 1
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة 2
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة 3
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة 4
(الذاكرة) IC DRAM 4GBIT 1.6GHz 200WFBGA MT53B128M32D1NP-062 AAT:A ذاكرة مخزون بقعة 5

Tags:

ترانزستور ثنائي القطب ROHM UTC ICS,ROHM UTC ICS ترانزستور ثنائي القطب,ROHM UTC ICS SOT-89-3,

ROHM UTC ICS Transistor Bipolar,

ROHM UTC ICS SOT-89-3

منتجات مماثلة
SOT-89-3 Package ROHM UTC ICS 2SB1561 ترانزستور مفرق ثنائي القطب

SOT-89-3 Package ROHM UTC ICS 2SB1561 ترانزستور مفرق ثنائي القطب

احصل على أفضل سعر
Bjt ثنائي القطب ROHM UTC ICS 2SB1580 T100 ROHS 2SB1424 120 ميجا هرتز

Bjt ثنائي القطب ROHM UTC ICS 2SB1580 T100 ROHS 2SB1424 120 ميجا هرتز

احصل على أفضل سعر
2SB1581 ROHM UTC ICS الترانزستور ثنائي القطب Bjt تكوين واحد

2SB1581 ROHM UTC ICS الترانزستور ثنائي القطب Bjt تكوين واحد

احصل على أفضل سعر
2SB1424 ROHM UTC ICS Simbol الترانزستور ثنائي القطب BJT ROHS 2SB1424 PNP منخفض VCE

2SB1424 ROHM UTC ICS Simbol الترانزستور ثنائي القطب BJT ROHS 2SB1424 PNP منخفض VCE

احصل على أفضل سعر
IRFP90N20D ROHM UTC ICS الصمام الثنائي الترانزستور Bom ​​Service SOT-89-3

IRFP90N20D ROHM UTC ICS الصمام الثنائي الترانزستور Bom ​​Service SOT-89-3

احصل على أفضل سعر
ATECC608B-TNGACTS-G 8SOIC حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

ATECC608B-TNGACTS-G 8SOIC حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر
ATECC608B-TFLXTLSS-PROTO 8SOIC الحلقة المتكاملة IC رقاقة في المخزون

ATECC608B-TFLXTLSS-PROTO 8SOIC الحلقة المتكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر
806-0541-05 ANADYNE الحلقة المتكاملة IC رقاقة في المخزون

806-0541-05 ANADYNE الحلقة المتكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر
MAX66242E/W+ حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

MAX66242E/W+ حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر
MAX66300AETN+T IC POWER MANAGEMENT IC الدوائر المتكاملة في المخزون

MAX66300AETN+T IC POWER MANAGEMENT IC الدوائر المتكاملة في المخزون

احصل على أفضل سعر
QS72241-20RJ QS72241 - FIFO، 4KX9، 10NS حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

QS72241-20RJ QS72241 - FIFO، 4KX9، 10NS حلقة متكاملة IC رقاقة في المخزون

احصل على أفضل سعر
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
المنتجات

المكونات الإلكترونية المرحلية

ST ICS

RENESAS IC

ADI للأجهزة التناظرية

شركة Texas Instruments الوطنية لأشباه الموصلات

ON فيرتشايلد أشباه الموصلات

فريسكالي أشباه الموصلات

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
الغرفة 2808-2809 ، Duhuixuan ، رقم 3018 ، شارع شينان ، مجتمع Huahang ، شارع Huaqiang North ، منطقة Futian ، Shenzhen
روابط سريعة
ملف الشركة جولة في المصنع مراقبة الجودة أخبار خريطة الموقع سياسة الخصوصية
الصين جودة جيدة المكونات الإلكترونية المرحلية المورد. حقوق الطبع والنشر © 2023-2025 electroniccomponentsics.com جميع الحقوق محفوظة