logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > ROHM UTC ICS > شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P

شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P

تفاصيل المنتج

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطع

الأسعار: $3.45/pieces 10-99 pieces

تفاصيل التغليف: The goods will be packed in carton which wrapped all by adhesive tape. سيتم تعبئة البضائع

القدرة على العرض: 10000 قطعة / قطعة يوميا

احصل على أفضل سعر
إبراز:
السلسلة:
MT41K256M16TW-107 IT:P، MT41K256M16TW-107 IT:P
الوصف:
MT41K256M16TW-107 IT: ص
رقم جزء الشركة المصنعة:
MT41K256M16TW-107 IT: ص
النوع:
متحكم
المصنع:
MI CRON
كود تاريخ التصنيع:
TSSOP-20
نوع الوحدة / اللوحة:
المعيار
المعالج الأساسي:
قياسي، ARMR CortexR-M4
معالج مشارك:
المعيار
السرعة:
المعيار
حجم الفلاش:
المعيار
حجم ذاكرة الوصول العشوائي:
المعيار
نوع الموصل:
المعيار
الحجم / البعد:
المعيار
التعبئة:
المعيار
الاتصال:
كانبوس، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، CANbus، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، I2C، IrDA، LINbus، SPI، UART/USART
ملحقات:
المعيار
عدد I / O:
المعيار
حجم ذاكرة البرنامج:
المعيار
نوع ذاكرة البرنامج:
المعيار
حجم إيبروم:
المعيار
الجهد - العرض (Vcc / Vdd):
المعيار
محولات البيانات:
المعيار
نوع المذبذب:
المعيار
سلسلة تحكم:
المعيار
واجهة:
المعيار
الجهد - الإمدادات:
المعيار
الحزمة / الحقيبة:
المعيار
عدد النوى / عرض الحافلة:
المعيار
تسريع الرسومات:
المعيار
وحدات تحكم العرض والواجهة:
المعيار
USB:
المعيار
الجهد - I / O:
المعيار
إشارة الصليب:
المعيار
حجم اللب:
اسألني
نوع المنتج:
المحركات / الحركة / أجهزة التحكم في الإشعال والسائقين
التكرار:
168 ميجا هرتز
حالة دورة الحياة:
نشط (آخر تحديث: منذ 7 أشهر)
نوع التثبيت:
جبل السطح
الشحن عن طريق:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الضمان:
سنة واحدة
الميناء:
شنتشين
السلسلة:
MT41K256M16TW-107 IT:P، MT41K256M16TW-107 IT:P
الوصف:
MT41K256M16TW-107 IT: ص
رقم جزء الشركة المصنعة:
MT41K256M16TW-107 IT: ص
النوع:
متحكم
المصنع:
MI CRON
كود تاريخ التصنيع:
TSSOP-20
نوع الوحدة / اللوحة:
المعيار
المعالج الأساسي:
قياسي، ARMR CortexR-M4
معالج مشارك:
المعيار
السرعة:
المعيار
حجم الفلاش:
المعيار
حجم ذاكرة الوصول العشوائي:
المعيار
نوع الموصل:
المعيار
الحجم / البعد:
المعيار
التعبئة:
المعيار
الاتصال:
كانبوس، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، CANbus، DCMI، EBI/EMI، إيثرنت، I2C، IrDA، LINbus، SPI، UART/USART
ملحقات:
المعيار
عدد I / O:
المعيار
حجم ذاكرة البرنامج:
المعيار
نوع ذاكرة البرنامج:
المعيار
حجم إيبروم:
المعيار
الجهد - العرض (Vcc / Vdd):
المعيار
محولات البيانات:
المعيار
نوع المذبذب:
المعيار
سلسلة تحكم:
المعيار
واجهة:
المعيار
الجهد - الإمدادات:
المعيار
الحزمة / الحقيبة:
المعيار
عدد النوى / عرض الحافلة:
المعيار
تسريع الرسومات:
المعيار
وحدات تحكم العرض والواجهة:
المعيار
USB:
المعيار
الجهد - I / O:
المعيار
إشارة الصليب:
المعيار
حجم اللب:
اسألني
نوع المنتج:
المحركات / الحركة / أجهزة التحكم في الإشعال والسائقين
التكرار:
168 ميجا هرتز
حالة دورة الحياة:
نشط (آخر تحديث: منذ 7 أشهر)
نوع التثبيت:
جبل السطح
الشحن عن طريق:
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
الضمان:
سنة واحدة
الميناء:
شنتشين
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 0
المنتجين المنتجين
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 1
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 2
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 3
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 4
MT41K256M16TW-107 IT: p
يستخدم DDR3 SDRAM بنية معدل بيانات مزدوجة لتحقيق تشغيل عالية السرعة. بنية معدل البيانات المزدوجة هي
بنية 8N-Prefetch مع واجهة مصممة لنقل كلمتين بيانات لكل ساعة على مدار الساعة في دبابيس I/O.
تتكون عملية قراءة أو كتابة واحدة لـ DDR3 SDRAM بشكل فعال من نقل بيانات دورة مدتها 8N بتراك
في قلب DRAM الداخلي وثمانية نقل بيانات N-BIT المقابلة ، نصف دورة على مدار نصف دورة عند دبابيس الإدخال/الإخراج. ال
يتم إرسال سد البيانات التفاضلية (DQS ، DQS#) خارجيًا ، جنبًا إلى جنب مع البيانات ، لاستخدامها في التقاط البيانات عند إدخال DDR3 SDRAM
المتلقي. DQS محاذاة مركز مع بيانات للكتابة.

الشركة المصنعة:
ميكرون تكنولوجيا
فئة المنتج:
درهم
روهز:
تفاصيل
يكتب:
SDRAM - DDR3L
نمط التثبيت:
SMD/SMT
الحزمة / الحالة:
FBGA-96
عرض ناقل البيانات:
16 بت
منظمة:
256 م × 16
حجم الذاكرة:
4 جيت
الحد الأقصى لتكرار الساعة:
933 ميغاهيرتز
وقت الوصول:
20 ns
جهد العرض - الحد الأقصى:
1.45 v
جهد العرض - دقيقة:
1.283 ضد
تيار العرض - الحد الأقصى:
46 م
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:
- 40 ج
درجة حرارة التشغيل القصوى:
+ 95 ج
مسلسل:
MT41K
التغليف:
صينية
ماركة:
ميكرون
حساس الرطوبة:
نعم
نوع المنتج:
درهم
كمية حزمة المصنع:
1224
الفئة الفرعية:
تخزين الذاكرة وتخزين البيانات
وزن الوحدة:
0.128468 أوقية
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 5
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 6
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 7
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 8
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 9
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 10
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 11
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 12
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 13
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 14
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 15
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 16
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 17
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 18
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 19
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 20
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 21
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 22
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 23
مزايانا
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 24
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 25
ملف تعريف الشركة
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 26
يوصي المنتجات
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 27
تقنية التصنيع
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 28
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 29
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 30
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 31
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 32
التعليمات
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 33

التعليمات

Q1: حول اقتباس IC BOM؟
A1: لدى الشركة قنوات شراء لمصنعي الدوائر المتكاملة الأصلية في المنزل والخارج وفريق تحليل حلول المنتجات المهنية لاختيار المكونات الإلكترونية عالية الجودة منخفضة التكلفة للعملاء.Q2: اقتباس حلول PCB و PCBA؟
A2: سيقوم فريق الشركة المهني بتحليل نطاق التطبيقات لحلول PCB و PCBA التي يوفرها العميل ومتطلبات المعلمة لكل مكون إلكتروني ، وفي نهاية المطاف تزود العملاء بحلول اقتباس عالية الجودة ومنخفضة التكلفة.
س 3: حول تصميم الرقائق للمنتج النهائي؟
A3: لدينا مجموعة كاملة من تصميم الرقاقة ، وإنتاج الرقاقة ، واختبار الويفر ، وتغليف IC وتكامله ، وخدمات فحص المنتجات IC.
س 4: هل لدى شركتنا متطلبات كمية الطلب (MOQ) الحد الأدنى؟
A4: لا ، ليس لدينا متطلبات MOQ ، يمكننا دعم مشاريعك بدءًا من النماذج الأولية إلى الإنتاج الضخم.
س 5: كيفية التأكد من عدم تسرب معلومات العميل؟
A5: نحن على استعداد للتوقيع على تأثير NDA من جانب القانون المحلي من جانب العميل ووعد بالحفاظ على بيانات العملاء على مستوى سرية عالية.
شريحة IC IC DRAM 4GBIT PARALLEL الدائرة المتكاملة ذاكرة فلاش EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IT:P 34